[实用新型]体声波谐振器及滤波器有效
| 申请号: | 202223101703.2 | 申请日: | 2022-11-22 |
| 公开(公告)号: | CN219041753U | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
| 发明(设计)人: | 张大鹏;林瑞钦;段志 | 申请(专利权)人: | 武汉光钜微电子有限公司 |
| 主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/13 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张竞存;浦彩华 |
| 地址: | 430000 湖北省武汉市武汉东湖高新技术开发区高*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 声波 谐振器 滤波器 | ||
本公开实施例提供了一种体声波谐振器及滤波器,所述体声波谐振器包括依次层叠的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层,所述反射结构、所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层的重叠区域为有源区,所述有源区包括沿指定方向交替排布的第一区域和第二区域,所述指定方向平行于所述有源区所在平面;第一调节层,位于所述第一区域;第二调节层,位于所述第二区域,其中,包括所述第一调节层的所述第一区域和包括所述第二调节层的所述第二区域的纵波谐振频率相同,所述第一调节层和所述第二调节层用于增大所述有源区的纵向振幅。
技术领域
本公开实施例涉及半导体领域,特别涉及一种体声波谐振器及滤波器。
背景技术
体声波谐振器具有体积小、质量轻、插入损耗低、频带宽以及品质因子高等优点,并且其制备工艺可以与CMOS兼容,因此,被广泛应用在无线通讯技术中,如移动终端中的滤波器或双工器。而在移动终端中,存在多个频段同时使用的情况,为了使不同频段的干扰降低,就要求滤波器或双工器的矩形系数和通带的插入损耗必须提升。滤波器的性能由构成它的波谐振器决定,提高谐振器的Q值可以实现小的矩形系数和小的插入损耗。因此,如何提高体声波谐振器的Q值成为亟待解决的问题。
发明内容
根据本公开的第一个方面,提供了一种体声波谐振器,包括:
依次层叠的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层,所述反射结构、所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层的重叠区域为有源区,所述有源区包括沿指定方向交替排布的第一区域和第二区域,所述指定方向平行于所述有源区所在平面;
第一调节层,位于所述第一区域;
第二调节层,位于所述第二区域,其中,包括所述第一调节层的所述第一区域和包括所述第二调节层的所述第二区域的纵波谐振频率相同,所述第一调节层和所述第二调节层用于增大所述有源区的纵向振幅。
在一些实施例中,所述第一区域沿所述指定方向具有第一尺寸,所述第二区域沿所述指定方向具有第二尺寸,所述第一尺寸等于所述第二尺寸。
在一些实施例中,未包括所述第一调节层和所述第二调节层且处于振动状态的所述有源区内存在竖直剪切波,所述竖直剪切波包括多个不同波长的正弦波叠加,多个所述正弦波包括第一正弦波和第二正弦波,所述第一正弦波和所述第二正弦波的波长大于其余所述正弦波的波长,且所述第二正弦波的波长小于所述第一正弦波的波长:
其中,所述第一尺寸和所述第二尺寸均等于所述第二正弦波的波长的一半。
在一些实施例中,所述第一调节层和所述第二调节层在所述有源区表面的正投影覆盖所述有源区。
在一些实施例中,所述第一调节层和所述第二调节层的材质不同且厚度不同。
在一些实施例中,所述第一调节层和所述第二调节层分别设置在所述第一电极层相对远离所述压电层的一侧和所述第二电极层相对远离所述压电层的一侧。
在一些实施例中,所述第一调节层和所述第二调节层均设置在所述第一电极层相对远离所述压电层的一侧;或者,
所述第一调节层和所述第二调节层均设置在所述第二电极层相对远离所述压电层的一侧。
在一些实施例中,与所述第一电极层接触的所述第一调节层或所述第二调节层的材质,与所述第一电极层的材质相同;或者,
与所述第二电极层接触的所述第一调节层或所述第二调节层材质,与所述第二电极层的材质相同。
在一些实施例中,所述第一调节层包括沿所述有源区的厚度方向层叠的第一子调节层和第二子调节层,所述第二子调节层位于所述第一子调节层和所述第一电极层或所述第二电极层之间;
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