[实用新型]LDO稳压电路和电子设备

权利要求书

1.一种LDO稳压电路，其特征在于，包括：

功率开关，其输入端和输出端分别构成所述LDO稳压电路的输入端和输出端，其输出端的电压大小与受控端的电压呈第一预设变化规则变化；

基准电路，所述基准电路用于输出基准电压；

分别与所述功率开关和所述基准电路连接的反馈调节电路，所述反馈调节电路用于采样所述功率开关的输出端的电压，并将采样得到的采样电压与所述基准电压进行比较，并输出比较电压至所述功率开关的受控端，以反馈调节所述功率开关的输出端的电压达到目标输出电压；

与所述功率开关连接的快恢复补偿电路，所述快恢复补偿电路用于获取所述功率开关的输出端的电压，以基于所述目标输出电压输出第一补偿电压至所述功率开关的受控端；并在获取到突变输出电压时，所述快恢复补偿电路基于所述突变输出电压输出第二补偿电压至所述功率开关的受控端。

2.如权利要求1所述的LDO稳压电路，其特征在于，所述快恢复补偿电路包括：

第一耦合电路，其第一端与所述功率开关的输出端连接，所述第一耦合电路用于耦合输出所述功率开关的输出端的电压；

偏置电路，其输入端与所述第一耦合电路的第二端连接，所述偏置电路用于接收到所述目标输出电压时偏置输出第一偏置电压；并在接收到所述突变输出电压时，所述偏置电路偏置输出第二偏置电压；

补偿开关，其第一端与所述功率开关的输入端连接，其第二端与所述功率开关的受控端连接，所述补偿开关的受控端与所述偏置电路的输出端连接，所述补偿开关，用于接收到所述第一偏置电压时输出所述第一补偿电压至所述功率开关；并在接收到的所述第二偏置电压时，所述补偿开关输出所述第二补偿电压至所述功率开关。

3.如权利要求2所述的LDO稳压电路，其特征在于，所述第一耦合电路包括第一电容，其第一端和第二端分别构成所述第一耦合电路的第一端和第二端。

4.如权利要求3所述的LDO稳压电路，其特征在于，所述偏置电路包括第一电阻和第二电阻；

所述第一电阻的第一端与所述功率开关的输入端连接，所述第一电阻的第二端、所述补偿开关的受控端、所述第一电容的第二端和所述第二电阻的第一端共接，所述第二电阻的第二端接地。

5.如权利要求3所述的LDO稳压电路，其特征在于，所述偏置电路包括：

电流源，其第一端与所述补偿开关的受控端连接，其第二端接地；

第一电子开关管，所述第一电子开关管的第一端与所述补偿开关的第一端连接，所述第一电子开关管的第二端和受控端与所述电流源的第一端连接；

所述第一电子开关管为第一PMOS管或者第一PNP三极管，所述第一PMOS管的源极或者所述第一PNP三极管的发射极构成所述第一电子开关管的第一端，所述第一PMOS管的栅极或者所述第一PNP三极管的基极构成所述第一电子开关管的受控端，所述第一PMOS管的漏极或者所述第一PNP三极管的集电极构成所述第一电子开关管的第二端。

6.如权利要求2所述的LDO稳压电路，其特征在于，所述补偿开关包括第二电子开关管，所述第二电子开关管为第二PMOS管或者第二PNP三极管；

所述第二PMOS管的源极或者所述第二PNP三极管的发射极构成所述第二电子开关管的第一端，所述第二PMOS管的栅极或者所述第二PNP三极管的基极构成所述第二电子开关管的受控端，所述第二PMOS管的漏极或者所述第二PNP三极管的集电极构成所述第二电子开关管的第二端。

7.如权利要求1所述的LDO稳压电路，其特征在于，所述快恢复补偿电路包括：

第一比较电路，其输入端与所述功率开关的输出端连接，所述第一比较电路，用于将所述功率开关的输出端的电压与参考电压进行比较，并在接收到所述目标输出电压时输出所述第一补偿电压，以及在接收到所述突变输出电压时输出所述第二补偿电压；

第二耦合电路，其第一端与所述第一比较电路的输出端连接，其第二端与所述功率开关的受控端连接，所述第二耦合电路用于耦合反馈所述第一补偿电压或者所述第二补偿电压至所述功率开关。