[实用新型]功率放大器的偏置电路及射频电路有效
申请号: | 202223022190.6 | 申请日: | 2022-11-11 |
公开(公告)号: | CN218772012U | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 张乘峰;侯兴江 | 申请(专利权)人: | 成都市时代速信科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/195;H03F3/213 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 曹瑞敏 |
地址: | 610000 四川省成都市高新区天*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率放大器 偏置 电路 射频 | ||
1.一种功率放大器的偏置电路,其特征在于,包括:第一晶体管、第一电阻以及单向导通模块;
所述第一晶体管的第一极与所述功率放大器的射频输入端连接,所述第一晶体管的第二极通过所述第一电阻连接预设电源的第一电源端连接,所述第一晶体管的第三极接地;所述单向导通模块的正极连接第一连接点,所述单向导通模块的负极连接第二连接点,所述第二连接点连接所述预设电源的第二电源端;其中,所述第一连接点为所述第一晶体管的第二极,所述第二连接点为所述第一晶体管的第一极和所述功率放大器的射频输入端之间的连接点。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述单向导通模块包括:依次连接的至少一个单向导通器件;
所述至少一个单向导通器件中第一个单向导通器件的正极连接所述第一连接点;所述至少一个单向导通器件中最后一个单向导通器件的负极,连接所述第二连接点。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述偏置电路还包括:第二电阻;所述第二电阻连接在所述第一晶体管的第一极与所述第二连接点之间。
4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述偏置电路还包括:第三电阻;所述第三电阻连接在所述第二连接点与所述预设电源的第二电源端之间。
5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述偏置电路还包括:第四电阻;所述第四电阻连接在所述第二连接点与所述功率放大器的射频输入端之间。
6.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一晶体管为第一场效应管,所述第一场效应管的第一极为栅极,所述第一场效应管的第二极为漏极,所述第一场效应管的第三极为源极。
7.一种射频电路,其特征在于,包括:功率放大器,以及上述权利要求1-6中任一所述的偏置电路;
所述功率放大器的射频输入端连接所述偏置电路中第一晶体管的第一极,所述功率放大器的正电源端连接预设电源的第一电源端,所述功率放大器的负电源端接地。
8.根据权利要求7所述的电路,其特征在于,所述功率放大器包括:所述射频输入端、射频输出端、第二晶体管、电感;
其中,所述第二晶体管的第一极连接所述射频输入端,所述第二晶体管的第二极连接所述电感的一端,所述电感的另一端为所述功率放大器的正电源端,用以连接所述预设电源的第一电源端;所述第二晶体管的第三极为所述功率放大器的负电源端用以接地。
9.根据权利要求8所述的电路,其特征在于,所述功率放大器还包括:第一电容和第二电容;
所述第二晶体管的第一极通过所述第一电容与所述射频输入端连接,所述第二晶体管的第二极通过所述第二电容与所述射频输出端连接。
10.根据权利要求8所述的电路,其特征在于,所述第二晶体管为第二场效应管,所述第二场效应管的第一极为栅极,所述第二场效应管的第二极为漏极,所述第二场效应管的第三极为源极。
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