[实用新型]一种清洗装置

说明书

本实用新型提供一种清洗装置，包括：清洗槽，清洗槽内具有清洗液，待清洗件适于浸渍在清洗液中；驱动部件，驱动部件位于清洗槽的外侧，驱动部件具有延伸至驱动部件之外的驱动轴，驱动轴适于沿着驱动轴的轴心旋转；偏心轮，偏心轮位于清洗槽的外侧，驱动轴与偏心轮连接以带动偏心轮旋转，偏心轮垂直于清洗槽中与偏心轮距离最小的一侧外壁，偏心轮的旋转中心与偏心轮的边缘的距离具有最大距离和最小距离，偏心轮的旋转中心至清洗槽的槽壁的最小距离小于最大距离且大于最小距离。驱动部件驱动偏心轮旋转以使清洗槽发生低频振动，使清洗液发生微扰动，这提高了待清洗件的清洗效率和清洗效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件制备装置技术领域，具体涉及一种清洗装置。

背景技术

真空蒸镀工艺是制备半导体器件的常用工艺之一。为了在真空蒸镀之后得到所需的图形化膜层，通常会利用具有镂空区域的掩膜板(mask)。掩膜板位于蒸镀源和待沉积表面之间，在蒸镀过程中，来自蒸镀源的气态有机物通过掩膜板上的镂空区域沉积在待沉积表面，从而在待沉积表面形成与镂空区域的形状相对应的有机膜层。

在形成有机膜层的同时，掩膜板朝向蒸镀源的一侧表面也会沉积一定厚度的有机物。随着蒸镀时间的延长，掩膜板表面的有机物的厚度会逐渐增大，这会影响后续所沉积的图形化膜层的沉积精度，因此掩膜板需要定时清洗。由于掩膜板对精度要求较高，为了避免清洗过程中损伤掩膜板导致其精度降低，通常采用单纯浸泡的方式清洗掩膜板，即，将掩膜板浸泡在清洗液中，使有机物自然溶解或脱落。

然而，单纯浸泡的方式无法保证清洗效果，残留在掩膜板表面的有机物会直接影响后续所沉积的膜层精度，从而影响半导体器件的性能，同时该清洗方式的清洗效率较低。

发明内容

因此，本实用新型要解决的技术问题在于如何提高掩膜板的清洗效果和清洗效率，从而提供一种清洗装置。

本实用新型提供一种清洗装置，包括：清洗槽，所述清洗槽内具有清洗液，待清洗件适于浸渍在所述清洗液中；驱动部件，所述驱动部件位于所述清洗槽的外侧，所述驱动部件具有延伸至驱动部件之外的驱动轴，所述驱动轴适于沿着所述驱动轴的轴心旋转；偏心轮，所述偏心轮位于所述清洗槽的外侧，所述驱动轴与所述偏心轮连接以带动所述偏心轮旋转，所述偏心轮垂直于所述清洗槽中与所述偏心轮距离最小的一侧外壁，所述偏心轮的旋转中心与所述偏心轮的边缘的距离具有最大距离和最小距离，所述偏心轮的旋转中心至所述清洗槽的槽壁的最小距离小于所述最大距离且大于所述最小距离。

可选的，所述最大距离与所述偏心轮的旋转中心至所述清洗槽的槽壁的最小距离的差值为35mm-43mm。

可选的，所述驱动轴的一端位于所述驱动部件的外侧，所述驱动轴的一端连接有一个所述偏心轮；或者，所述驱动轴的相对设置的两端均位于所述驱动部件的外侧，所述驱动轴的两端分别连接有一个所述偏心轮。

可选的，所述清洗槽的底面和/或侧面设置有所述驱动部件和所述偏心轮。

可选的，所述驱动轴的转速为4000rpm-8000rpm，所述清洗槽的震动频率为60HZ～150HZ。

可选的，所述清洗槽的内壁还设置有固定结构，所述固定结构适于固定所述待清洗件。

可选的，所述清洗槽内具有相对设置的第一内壁和第二内壁，所述固定结构为设置在所述第一内壁和所述第二内壁上的卡槽，所述卡槽的延伸方向平行于所述清洗槽的高度方向，所述卡槽适于与所述待清洗件的边缘卡接。

可选的，所述清洗槽内具有相互连通的清洗区和防溢区，所述清洗区靠近所述清洗槽的槽底，所述防溢区靠近所述清洗槽的槽口，在清洗过程中所述待清洗件适于固定在所述清洗区；在垂直于所述清洗槽的高度方向，所述防溢区的尺寸大于所述清洗区的尺寸。

可选的，所述清洗装置还包括控制部件，所述控制部件与所述驱动部件电学连接，所述控制部件适于控制所述驱动轴的转速。