[实用新型]低传输损耗铜基复合结构、PCB板及电子元器件

权利要求书

1.一种低传输损耗铜基复合结构，其特征在于，包括：沿预设方向依次重复堆叠的多个叠层单元，每个所述叠层单元均包括导体层以及沿所述预设方向覆盖于所述导体层的表面的绝缘层；

其中，所述导体层包括单晶铜层。

2.根据权利要求1所述的低传输损耗铜基复合结构，其特征在于，每个所述叠层单元中，沿所述预设方向，所述导体层和所述绝缘层的厚度比为(90-95)：(5-10)。

3.根据权利要求1或2所述的低传输损耗铜基复合结构，其特征在于，所述叠层单元的数量为5-8个。

4.根据权利要求1所述的低传输损耗铜基复合结构，其特征在于，所述导体层还包括石墨烯层，所述石墨烯层和所述单晶铜层沿所述预设方向堆叠。

5.根据权利要求4所述的低传输损耗铜基复合结构，其特征在于，每个所述导体层均包括一个所述单晶铜层和两个所述石墨烯层，且两个所述石墨烯层分别位于所述单晶铜层的相对两侧。

6.根据权利要求4或5所述的低传输损耗铜基复合结构，其特征在于，每个所述导体层中，沿所述预设方向，所述单晶铜层和所述石墨烯层的厚度比为(90-95)：(5-10)。

7.根据权利要求1所述的低传输损耗铜基复合结构，所述绝缘层为氮化硼层。

8.一种PCB板，其特征在于，所述PCB板包括信号层；所述信号层中具有如权利要求1-7中任一项所述的低传输损耗铜基复合结构；且所述信号层的厚度方向与所述预设方向一致。

9.根据权利要求8所述的PCB板，其特征在于，所述PCB板还包括基板以及分别覆盖于所述基板的厚度方向的相对两侧的第一复合层和第二复合层；所述第一复合层和所述第二复合层均包括沿所述基板的厚度方向依次覆盖于所述基板的表面的第一介质层、所述信号层、第二介质层以及参考层；

其中，所述第一复合层中的所述低传输损耗铜基复合结构的长度与所述第二复合层中的低传输损耗铜基复合结构的长度不同。

10.一种电子元器件，其特征在于，所述电子元器件包括如权利要求8或9所述的PCB板。