[实用新型]抗刻蚀密封圈有效
| 申请号： | 202222771884.3 | 申请日： | 2022-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN218543156U | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗祐;张誉泷 | 申请（专利权）人： | 艾希纳半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | F16J15/00 | 分类号： | F16J15/00 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 215500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 密封圈 | ||
1.一种抗刻蚀密封圈，其特征在于：包括
本体，为环状结构，作为附着基材；
抗刻蚀膜层，附着于所述本体表面，所述抗刻蚀膜层厚度为50nm～30000nm。
2.根据权利要求1所述的抗刻蚀密封圈，其特征在于：所述抗刻蚀膜层包括第一膜层及第二膜层，所述第一膜层设置于所述本体的正反两侧，所述第二膜层设置于所述第一膜层之间；所述第二膜层的厚度不大于所述第一膜层。
3.根据权利要求2所述的抗刻蚀密封圈，其特征在于：所述第二膜层由与所述第一膜层接触位置向所述第二膜层中部厚度逐渐减小。
4.根据权利要求2所述的抗刻蚀密封圈，其特征在于：所述第一膜层的厚度与所述第二膜层最薄处的厚度之比为1：0.6～1。
5.根据权利要求1所述的抗刻蚀密封圈，其特征在于：所述本体为无涂覆密封圈。
6.根据权利要求1所述的抗刻蚀密封圈，其特征在于：所述抗刻蚀膜层粗糙度为0.1～0.5um。
7.根据权利要求1～6任一项所述的抗刻蚀密封圈，其特征在于：所述抗刻蚀膜层为氧化物薄膜、二维薄膜或DLC薄膜中的任意一种。
8.根据权利要求7所述的抗刻蚀密封圈，其特征在于：所述氧化物薄膜的材料包括氧化铝、氧化钇及氧化硅中的任意一种或组合。
9.根据权利要求7所述的抗刻蚀密封圈，其特征在于：所述二维薄膜的材料为二硫化钼、氮化硼、二硫化钨、二硒化钼、二硒化钨或石墨烯中的任意一种。
10.根据权利要求1所述的抗刻蚀密封圈，其特征在于：所述抗刻蚀膜层内还设有多个子膜层。
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