[实用新型]一种单晶炉下轴保护装置有效

专利信息
申请号: 202222693225.2 申请日: 2022-10-13
公开(公告)号: CN218436021U 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 李安君;许堃;吴超慧;朱厚军;罗昌萍 申请(专利权)人: 宇泽半导体(云南)有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所 53113 代理人: 卓红
地址: 675000 云南省楚雄彝族*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 单晶炉下轴 保护装置
【说明书】:

实用新型涉及单晶炉设备技术领域,具体为一种单晶炉下轴保护装置,包括托杆,托杆安装在单晶炉下轴上,托杆的外侧上部安装有底加,底加的下方设置有防漏护板,防漏护板的底部安装有副石墨电极。该单晶炉下轴保护装置中,通过托杆保护环可以减少单晶炉内的硅熔体在拉晶时的液面晃动及因溅硅而导致的下轴波纹管烫穿而造成的单晶炉漏气,可有效降低拉晶过程中的液面晃动及波纹管烫穿的异常事故,托杆保护环为活动式设计,托杆保护环缩小了热场和托杆保护环的距离,使得溅硅被托杆保护环所阻挡,溅硅不会直接落入下轴波纹管中,从而降低了下轴波纹管被溅硅烫穿的概率,大大减少单晶炉漏气事件的发生及更换下轴波纹管的维修费用。

技术领域

本实用新型涉及单晶炉设备技术领域,具体地说,涉及一种单晶炉下轴保护装置。

背景技术

在现有单晶炉结构下,单晶炉托杆通过螺丝和单晶炉下轴连接在一起,通过单晶炉下轴的升降来实现单晶炉内的坩埚等的升降及旋转,实现单晶的拉制。单晶炉下轴具有升降功能,因此单晶炉下轴上需具备密封波纹管,使得单晶炉下轴在升降及旋转时,能保持单晶炉内的真空度。同时,为了能正常拉晶,固定在单晶炉下轴上的托杆和单晶炉内的热场部件要具有一定的距离。

如托杆和热场部件的距离过小,沉积在托杆上的固体硅小颗粒会和单晶炉内的热场部件进行摩擦,使得在坩埚升降及旋转过程中,造成坩埚内的液面晃动,无法拉晶。而如果托杆和单晶炉内的热场部件的距离过大,则会存在溅硅从缝隙中掉落而烫坏波纹管,从而造成单晶炉漏气而无法正常拉晶的异常情况。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种单晶炉下轴保护装置,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供了一种单晶炉下轴保护装置,包括托杆,所述托杆安装在单晶炉下轴上,所述托杆的外侧上部安装有底加,所述底加的下方设置有防漏护板,所述防漏护板的底部安装有副石墨电极,所述托杆的中部外侧套设有托杆保护环,所述托杆保护环的外径满足能够自由穿过底加,所述托杆从托杆保护环的中心穿过,进而和单晶炉下轴装配一起。

作为优选,所述托杆的外侧套设有托杆护筒。

作为优选,所述防漏护板、安装在副石墨电极、底加、托杆护筒位于单晶炉内部。

作为优选,所述托杆护筒的内壁与托杆的外壁之间缝隙小于10mm。

作为优选,所述托杆保护环与托杆护筒同心设置,且安装在防漏护板的上方。

作为优选,所述托杆保护环的内径比托杆的外径大5-6mm。

作为优选,所述托杆保护环的上沿楔形设计,总厚度8-10mm,所述托杆保护环材质为等静压石墨。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果:

该单晶炉下轴保护装置中,通过托杆保护环可以减少单晶炉内的硅熔体在拉晶时的液面晃动及因溅硅而导致的下轴波纹管烫穿而造成的单晶炉漏气,可有效降低拉晶过程中的液面晃动及波纹管烫穿的异常事故,托杆保护环为活动式设计,即使被硅液粘住,托杆保护环可随托杆一起移动,不会造成液面晃动,同时,保护其他热场部件不与托杆发生摩擦,使完成正常拉晶,托杆保护环缩小了热场和托杆保护环的距离,使得溅硅被托杆保护环所阻挡,溅硅不会直接落入下轴波纹管中,从而降低了下轴波纹管被溅硅烫穿的概率,大大减少单晶炉漏气事件的发生及更换下轴波纹管的维修费用。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图;

图2为本实用新型的俯视结构示意图。

图中各个标号意义为:

1、托杆;11、托杆护筒;2、单晶炉下轴;3、托杆保护环;4、底加;5、防漏护板;6、副石墨电极;7、电加热丝。

具体实施方式

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