[实用新型]一种基于电压泄放保护的磁刺激仪

权利要求书

1.一种基于电压泄放保护的磁刺激仪，其特征在于，包括依次连接的高压电源（7）、躲波单元（8）、脉冲电容（9）、可控硅单元（10）、刺激线圈（11），还设有分别与躲波单元（8）、脉冲电容（9）、可控硅单元（10）连接的调压及保护电路；所述调压及保护电路用于控制躲波单元（8）连通高压电源（7）对脉冲电容（9）充电，所述调压及保护电路还用于对脉冲电容（9）进行过压调节与保护，用于检测脉冲电容（9）的电压值，根据预设参考电压值与检测的脉冲电容（9）的电压值进行比较，进而根据比较结果控制躲波单元（8）连通高压电源（7）对脉冲电容（9）充电，或根据比较结果控制泄放电路（5）对脉冲电容（9）进行放电，可控硅单元（10）连通脉冲电容（9）对刺激线圈（11）进行放电，形成脉冲磁场。

2.根据权利要求1所述的一种基于电压泄放保护的磁刺激仪，其特征在于：所述调压及保护电路包括电压检测电路（2）、CPU（1）、调压比较电路（3）、迟滞电路（4）、泄放电路（5）、逻辑控制电路（6）；所述电压检测电路（2）与脉冲电容（9）连接，用于检测脉冲电容（9）的电压值，所述CPU（1）用于下发参考电压值，所述调压比较电路（3）分别与电压检测电路（2）、CPU（1）连接，用于计算参考电压值与脉冲电容（9）的电压值之间的差值，所述迟滞电路（4）与调压比较电路（3）连接，用于设置门限电压并与差值比较，所述逻辑控制电路（6）与迟滞电路（4）、躲波单元（8）、可控硅单元（10）连接，用于根据迟滞电路（4）的比较结果，控制躲波单元（8），连通高压电源（7）对脉冲电容（9）充电，控制泄放电路（5）对脉冲电容放电，所述逻辑控制电路（6）还用于接受CPU（1）信号控制可控硅单元（10），通过脉冲电容（9）对刺激线圈（11）进行放电，形成脉冲磁场。

3.根据权利要求2所述的一种基于电压泄放保护的磁刺激仪，其特征在于：所述调压及保护电路还包括供电电压（12），所述供电电压（12）用于提供12V直流电压。

4. 根据权利要求3所述的一种基于电压泄放保护的磁刺激仪，其特征在于：所述电压检测电路（2）、调压比较电路（3）、迟滞电路（4）、泄放电路（5）、逻辑控制电路（6）包括与非门逻辑芯片U1A、U1B、U1C、U1D，运放芯片U2A、U2B、U2C、U2D，光耦U3，稳压二极管Z1，绝缘栅双极晶体管 Q1，三极管Q2，电阻R1-R14；所述绝缘栅双极晶体管 Q1的集电极通过电阻R7和脉冲电容（9）的正极相连，所述绝缘栅双极晶体管 Q1的发射极接地，并与脉冲电容（9）的负极相连，脉冲电容（9）正极通过电阻R3和稳压管Z1阴极相连，稳压管Z1阳极接地，所述绝缘栅双极晶体管 Q1的门极通过电阻R3和脉冲电容（9）的正极相连，脉冲电容（9）正极通过电阻R2和R9接地，所述运放芯片U2C的同向输入端通过电阻R9接地，所述运放芯片U2C的反向输入端与运放芯片U2C的输出端相连，所述运放芯片U2B的反向输入端通过电阻R8与运放芯片U2C的输出端相连，所述运放芯片U2B的反向输入端通过电阻R10与运放芯片U2B的输出端相连，所述运放芯片U2B的同向输入端通过电阻R1接供电电压（12），所述运放芯片U2B的同向输入端通过电阻R6与CPU（1）相连，所述运放芯片U2A的反向输入端与运放芯片U2B的输出端相连，所述运放芯片U2A的同向输入端通过电阻R5接供电电压（12），所述运放芯片U2A的同向输入端通过电阻R4与运放芯片U2A的输出端相连，所述运放芯片U2D的反向输入端与运放芯片U2A的反向输入端相连，所述运放芯片U2D的同向输入端通过电阻R11接供电电压（12），所述运放芯片U2D的同向输入端通过电阻R14接地，所述运放芯片U2D的同向输入端通过电阻R13与运放芯片U2D的输出端相连，所述与非门逻辑芯片U1A的输入A和输入B与运放芯片U2A的输出端相连，所述与非门逻辑芯片U1A的输出Y和与非门逻辑芯片U1B的输入A相连，所述与非门逻辑芯片U1B的输入B与与非门逻辑芯片U1D的输出Y相连，所述与非门逻辑芯片U1B的输出Y和与非门逻辑芯片U1C的输入A相连，所述与非门逻辑芯片U1B的输出Y和躲波单元（8）相连，所述与非门逻辑芯片U1C的输入B与CPU（1）相连，所述与非门逻辑芯片U1C的输出Y和可控硅单元（10）相连，所述与非门逻辑芯片U1D的输入A和输入B与运放芯片U2D的输出端相连，所述与非门逻辑芯片U1D的输出Y与三极管Q2的基极相连，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的集电极与光耦U3输入端阴极相连，所述光耦U3输入端阳极通过电阻R12接供电电压（12），所述光耦U3输出端发射极接地，所述光耦U3输出端集电极与绝缘栅双极晶体管 Q1的门极相连。