[实用新型]一种用于激光雷达的人眼安全长波长VCSEL阵列芯片

权利要求书

1.一种用于激光雷达的人眼安全长波长VCSEL阵列芯片，其特征在于：包括散热片以及若干排列键合于所述散热片上方的VCSEL，各所述VCSEL由下至上依次包括介质层DBR、第二N型掺杂DBR、第二掩埋隧穿结、多结级联有源区、第一N型掺杂DBR、InP第二缓冲层和光栅层；相邻两所述VCSEL的介质层DBR之间填充有用于连接所述散热片的焊料。

2.如权利要求1所述的一种用于激光雷达的人眼安全长波长VCSEL阵列芯片，其特征在于：所述介质层DBR是由SiO₂/Si₃N₄周期堆叠组成的反射镜，周期数为4-8，厚度为1800-3750nm。

3.如权利要求1所述的一种用于激光雷达的人眼安全长波长VCSEL阵列芯片，其特征在于：所述光栅层的高折射率材料为SiO₂或Si₃N₄，低折射率材料为空气或氧化物。

4.如权利要求2所述的一种用于激光雷达的人眼安全长波长VCSEL阵列芯片，其特征在于：所述光栅层的光栅周期550nm＜∧＜800nm，填充系数350nm＜η＜500nm，光栅深度350nm＜tg＜500nm。

5.如权利要求1所述的一种用于激光雷达的人眼安全长波长VCSEL阵列芯片，其特征在于：所述第一N型掺杂DBR和第二N型掺杂DBR均是由InAlGaAs/InP或者InGaAsP/InP周期堆叠组成的反射镜；第一N型掺杂DBR和第二N型掺杂DBR的周期数均为5-20，厚度均为1000-5000nm。

6.如权利要求1所述的一种用于激光雷达的人眼安全长波长VCSEL阵列芯片，其特征在于：所述散热片为硅片，厚度为300-700μm。

7.如权利要求1所述的一种用于激光雷达的人眼安全长波长VCSEL阵列芯片，其特征在于：所述多结级联有源区包括n个有源区，且各有源区之间通过第一隧穿结进行级联；各所述有源区由下至上包括限制层、波导层、量子阱层、对称波导层和对称限制层。

8.如权利要求7所述的一种用于激光雷达的人眼安全长波长VCSEL阵列芯片，其特征在于：所述量子阱层的阱层/垒层为In_xGa_1-xAs_yP_1-y/In_xGa_1-xAs_yP_1-y或者不同Ga/Al比例的AlInGaAs。

9.如权利要求1所述的一种用于激光雷达的人眼安全长波长VCSEL阵列芯片，其特征在于：所述第二N型掺杂DBR和InP第二缓冲层上方均设有接触电极。

10.如权利要求1所述的一种用于激光雷达的人眼安全长波长VCSEL阵列芯片，其特征在于：各所述VCSEL的激射波长范围为1200-1800nm。