[实用新型]一种小尺寸单晶炉升级的大尺寸热场装置有效
申请号: | 202222065799.5 | 申请日: | 2022-08-08 |
公开(公告)号: | CN217869178U | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 郑立恒;王军磊;王艺澄 | 申请(专利权)人: | 包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 周琪 |
地址: | 014010 内蒙古自治区*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 尺寸 单晶炉 升级 装置 | ||
本实用新型公开了一种小尺寸单晶炉升级的大尺寸热场装置,包括主炉室(1)和副室炉筒(2),主炉室(1)包括炉体(11)和炉盖(12),副室炉筒(2)通过固定挡块(4)连接在立柱(3)上,炉体(11)和炉盖(12)之间连有加高炉筒(5),加高炉筒(5)的上凸台(51)通过卡勾装置(6)与炉盖(12)相连;卡勾装置(6)包括第一挂钩(61)和第二挂钩(62),第一挂钩(61)的第一卡块(612)连于炉盖(12)的下边缘,加高炉筒(5)的上凸台(51)嵌入第二挂钩(62)的卡槽(62a)内。本实用新型的优点是在小尺寸单晶炉基础上进行改造,使其匹配大热场,满足大热场的生产需求,节约成本,提高经济效益。
技术领域
本实用新型涉及光伏制造技术领域,尤其涉及一种小尺寸单晶炉升级的大尺寸热场装置。
背景技术
热场越大,单晶炉的单次投料量越大,大的投料量会有效提高单晶硅生产过程的等径生长时间占比,等径生长为单晶硅有效产出的来源。同时大尺寸热场生产单晶硅时,可以提高单晶硅棒的电阻分布的匀均性,降低单晶硅中的氧、碳杂质含量。
但是,只有大的热场才可进行更大尺寸单晶硅的拉制,大尺寸单晶硅棒才可以生产出大尺寸的硅片,通过测算,大尺寸硅片可以有效降低太阳能电站的造价。
然而,目前使用的小尺寸单晶炉如图1和图2所示,分别为主炉室和副室安装结构示意图,主炉室的上部设有炉盖,副室炉筒通过固定挡块连接在立柱上,受限于主室整体高度有限,没有足够的高度和体积来容纳更大尺寸更高高度的大尺寸热场,受限于副室提升高度有限,副室没有足够的提升高度来满足大热场的安装使用需求,更高的热场高度会和副室存在干涉。
实用新型内容
本实用新型目的就是为了解决现有单晶炉尺寸小、高度受限的问题,提供了一种小尺寸单晶炉升级的大尺寸热场装置,不仅可以在现有小尺寸单晶炉基础上进行改造,使其匹配大热场,满足大热场的生产需求,同时还有效节约成本,提高经济效益。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种小尺寸单晶炉升级的大尺寸热场装置,包括主炉室和副室炉筒,主炉室包括炉体和设于炉体顶部的炉盖,副室炉筒通过固定挡块连接在立柱上;
所述炉体和炉盖之间连接一个加高炉筒,加高炉筒的上边缘和下边缘分别设有上凸台和下凸台,下凸台与炉体相连,上凸台通过卡勾装置与炉盖相连,以用于将主炉室加高;
所述卡勾装置包括相互配合的第一挂钩和第二挂钩,第一挂钩呈L型结构,其包括第一主体块和凸出的第一卡块,第一主体块与第一卡块互相垂直,第一主体块上设有一对贯穿的第一螺栓孔,第二挂钩亦呈L型结构,其包括第二主体块和凸出的第二卡块,第二主体块与第二卡块互相垂直,且第二卡块的一端设有竖直的弯折段,使得第二主体块、第二卡块和弯折段之间形成一个内凹的卡槽,第二主体块上亦设有一对贯穿的第二螺栓孔;
第一挂钩的第一卡块连于炉盖的下边缘,加高炉筒的上凸台嵌入第二挂钩的卡槽内,对应的第一挂钩和第二挂钩处于同一轴线上,且第一螺栓孔与第二螺栓孔亦相互对应且处于同一轴线上,对应的螺栓孔内连有紧固螺栓,以便于将第一挂钩和第二挂钩连接,从而实现加高炉筒和炉盖的连接。
进一步地,所述固定挡块为L型板,其包括水平段和垂直段,水平段连接在立柱上,垂直段朝上设置且其上端与副室炉筒相连,以用于加高副室的高度。
进一步地,所述加高炉筒的内径与炉体的内径相同且二者同轴设置。
进一步地,所述上凸台的外径与炉盖的外径相同,下凸台的外径与炉体上部的外径相同,且上凸台、下凸台、炉盖和炉体位于同一轴线上。
进一步地,所述第一螺栓孔的轴线与第一主体块的轴线相互平行设置。
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