[实用新型]一种多模式切换的1×3光开关有效
| 申请号： | 202222061414.8 | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN218122296U | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 高雪松;张桂菊;汪成根;崔元昊 | 申请（专利权）人： | 光芯互连（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/35 | 分类号： | G02B6/35;G02B6/10 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215223 江苏省苏州市吴江区东太湖生态旅游度假区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 模式 切换 开关 | ||
1. 一种多模式切换的1×3光开关，包括衬底（9）、Si波导和复合波导，其特征在于：由中行Si直波导(6)组成的单直波导区域(1)设置于光开关的中间，一侧为由上行Si直波导(4)和上行复合波导(5) 组成的上行耦合波导区域(2)，另一侧为由下行复合波导(7)和下行Si直波导(8) 组成的下行耦合波导区域(3)；
各波导相互平行，间距为100～200纳米，Si直波导与复合波导相间分布，上行复合波导(5)位于中行Si直波导(6)的前端区域，下行复合波导(7)位于中行Si直波导(6)的后端区域；
光输入端口(12)和光波的基模输出端口(13)分别设置于中行Si直波导(6)的前、后端；光波的一阶模输出端口(14)设置于上行Si直波导(4)的后端；光波的二阶模输出端口(15)设置于下行Si直波导(8) 的后端；
所述的上行复合波导(5)和下行复合波导(7)为在Si波导(10)上沉积或覆盖一层相变材料薄膜(11)构成。
2.根据权利要求1所述的一种多模式切换的1×3光开关，其特征在于：中行Si直波导(6)、上行Si直波导(4)和下行Si直波导(8)的厚度为100～400纳米，宽度分别为200～600纳米、600～1100纳米和1100～1900纳米，长度分别为10～80微米、20～80微米和10～30微米。
3.根据权利要求1所述的一种多模式切换的1×3光开关，其特征在于：上行复合波导(5)和下行复合波导(7) 的宽度为200～600纳米，长度为5～30微米；它们的Si波导(10) 的厚度为100～400纳米，相变材料薄膜(11)的厚度为10～100纳米。
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