[实用新型]一种可控硅失效检测的保护电路

说明书

本实用新型公开了一种可控硅失效检测的保护电路，包括用于检测可控硅的可控硅检测电路和用于控制电路关断的保护电路，所述可控硅检测电路与保护电路电性连接，所述可控硅检测电路包括康铜丝和LM358电流放大电路，所述康铜丝串联于N1线上，所述N1线上的康铜丝分别通过电阻器RZ1和电容C1与L1线连接，所述康铜丝的一端与LM358电流放大电路的电阻R19一端连接，所述保护电路包括继电器电路，所述继电器电路包括继电器K1，所述继电器K1串联于L线上，所述继电器K1的控制端与主芯片控制电路电性连接，增加一个继电器和LM358电流放大电路，开机时炉盘内外环切换，检测到电流的AD值，从而实现可控硅失效保护。

技术领域

本实用新型涉及电陶炉设备技术领域，具体为一种可控硅失效检测的保护电路。

背景技术

电陶炉是利用电流热效应将电能转化为热能的一种炉灶设备，其主要结构由发热盘、微晶板、电控系统、温控系统和炉体组成。然而，当电陶炉开机时，电路检测可控硅是否失效，无法得知，可能会导致炉盘持续加热导致可能发生火灾的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可控硅失效检测的保护电路，当可控硅失效时，继电器关断保护，使炉盘停止加热，那么就可以解决电陶炉关机时，炉盘持续加热导致可能发生火灾的问题，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种可控硅失效检测的保护电路，包括主芯片IC1、继电器控制电路和可控硅控制电路，所述继电器控制电路包括继电器，所述继电器的K1一端触点与保险管相连，继电器的K1另一端触点连接插片IN1，且插片IN1外接电陶炉炉盘的一端，所述继电器的线圈一端经过电阻R4与18V电源相连接，继电器的线圈的另一端与三极管Q1的C极连接，三极管Q1的B极与电阻R3的一端相连接，所述电阻R3的另一端与主芯片IC1的第7脚相连；

所述可控硅控制电路包括可控硅，所述可控硅的阳极接5V与康铜丝RJ1的一端相连接，可控硅阴极接插片OUT1，插片OUT1接所述电陶炉炉盘的另一端，可控硅的控制级G接电阻R2的一端，R2的另一端接主芯片IC1的第16脚。

优选的，所述康铜丝RJ1的另一端与电流取样电路电性连接，所述电流取样包括电阻R19、电阻R23，所述电阻R19一端与康铜丝RJ1的另一端相连接，所述电阻R19另一端与芯片LM358的第2脚相连接，所述电阻R23一端与康铜丝RJ1的一端相连接，所述电阻R23的另一端与LM358第3脚相连接，所述芯片LM358的1脚与主芯片IC1的第1脚相连接。

优选的，所述主芯片IC1、继电器控制电路和可控硅控制电路的供电端均与电源电路电性连接，所述电源电路包括二极管D3，所述二极管D3的阳极与保险管右端相连接，所述电源主芯片IC3的5V输出端与主芯片IC1的第3脚相连接，所述电源电路的地线与主芯片第13脚相连。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

通过在在L线增加一个继电器，控制主回路的开关情况；在N线上串进一根康铜丝，取康铜丝两端的值，经LM358比较放大后输出电流检测值给主芯片IC1的AD口，通过主芯片IC1能够判断内环电流检测值X与外环电流检测值Y，使得当按下机器开关键后，能够判断可控硅短路是否正常工作，从而实现可控硅失效保护。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所指出的结构来实现和获得。

附图说明

图1为本实用新型的主回路与继电器控制电路图；

图2为本实用新型的可控硅控制电路电路图；

图3为本实用新型的电流取样电路图；

图4为本实用新型的主芯片IC1的电路图；