[实用新型]一种宽输入范围的内部供电电路

权利要求书

1.一种宽输入范围的内部供电电路，其特征在于，包括对称性跨导运算放大器电路、源电压钳位电路和第五电流镜结构电路；

所述对称性跨导运算放大器电路用于将基准电压转化为电流，用于得到相应的内部供电电源；所述源电压钳位电路连接于对称性跨导运算放大器电路中，用于将对称性跨导运算放大器电路中相关电压钳位，用于保护电路；所述电流镜结构电路用于将电流镜像，为对称性跨导运算放大器电路提供尾电流。

2.根据权利要求1所述一种宽输入范围的内部供电电路，其特征在于，所述对称性跨导运算放大器电路包括第一电流镜结构电路、第二电流镜结构电路、第三电流镜结构电路和第四电流镜结构电路；

输入电流分别接入第一电流镜结构电路和第二电流镜结构电路并合流至第三电流镜结构电路；

所述第三电流镜结构电路连接第五电流镜结构电路一端，所述源电压钳位电路连接第五电流镜结构电路另一端；

所述第四电流镜结构电路的两端分别连接第一电流镜结构电路和第二电流镜结构电路。

3.根据权利要求2所述一种宽输入范围的内部供电电路，其特征在于，所述第一电流镜结构电路包括源极互联且连接电源VIN的晶体管MP1和晶体管MP2，所述晶体管MP1和晶体管MP2的栅极连接；

所述第二电流镜结构电路包括源极互联且连接电源VIN的晶体管MP3和晶体管MP4，所述晶体管MP3和晶体管MP4的栅极连接；

所述第三电流镜结构电路包括源极互联且连接电源VIN的MOS管MN1和MOS管MN2，所述MOS管MN1的漏极连接述晶体管MP1和晶体管MP2的栅极以及晶体管MP2的漏极；

所述MOS管MN2的漏极连接晶体管MP3和晶体管MP4的栅极以及晶体管MP3的漏极；所述MOS管MN1和MOS管MN2的栅极互联且连接第五电流镜结构电路；

所述第四电流镜结构电路包括栅极相连接的晶体管MN3和晶体管MN4，且晶体管MN3和晶体管MN4的源极相连接且接入源电压钳位电路，所述晶体管MN3漏极连接晶体管MP1的漏极，晶体管MN4的漏极连接晶体管MP4的漏极。

4.根据权利要求3所述一种宽输入范围的内部供电电路，其特征在于，所述源电压钳位电路包括4个正负极依次连接的二极管D1、二极管D2、二极管D13和二极管D4，所述二极管D1正极连接电源VIN；

所述二极管D4的负极连接晶体管MN3和晶体管MN4的源极。

5.根据权利要求4所述一种宽输入范围的内部供电电路，其特征在于，所述第五电流镜结构电路包括栅极相连接的MOS管MN6、MOS管MN7和MOS管MN8，所述MOS管MN6、MOS管MN7和MOS管MN8的源极连接地线GND，

所述MOS管MN6的漏极连接电源端VDD，所述MOS管MN7的漏极连接有MOS管MN5，所述MOS管MN8的漏极连接MOS管MN1和MOS管MN2的栅极。

6.根据权利要求5所述一种宽输入范围的内部供电电路，其特征在于，所述电源端VDD连接MOS管MN5的栅极，所述MOS管MN5的漏极连接二极管D4的负极。

7.根据权利要求6所述一种宽输入范围的内部供电电路，其特征在于，所述晶体管MP4的漏极和晶体管MN4的漏极还连接有调整管MP5的栅极，所述调整管MP5的源极连接电源VIN。

8.根据权利要求7所述一种宽输入范围的内部供电电路，其特征在于，所述调整管MP5的漏极分别连接有电阻R1一端、电容C1一端和外部输出端口INTVCC；

所述电容C1另一端分别连接MOS管MN2的栅极、电容R2一端和电容C1另一端；

所述外部输出端口INTVCC连接有电容C2的一端，电容C2的另一端接地且连接有电容R2的另一端。