[实用新型]与DC-DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路

权利要求书

1.一种与DC-DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，其特征在于，包括：

第一输入端，与降压模块的一端耦接，另一端与第一输出端耦接，以形成第一输出回路，第二输出端耦接于所述第一输入端与降压模块的连接点上现成第二输出回路，且所述第二输出端的输入电压与输出电压相等；

控制端，耦接于第一耗尽型NMOS管的栅极，用于控制所述第一耗尽型NMOS管的通断，所述第一输入端与所述第一耗尽型NMOS管的漏极耦接，所述第一耗尽型NMOS管的源极与第三输出端耦接，以形成第三输出回路。

2.根据权利要求1所述的与DC-DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，其特征在于，还包括第一电容和滤波电路模块，所述第一电容的一端与所述控制端和所述第一耗尽型NMOS管的栅极的连接点耦接，所述第一电容的另一端连接所述滤波电路模块的一端，所述滤波电路模块的另一端与所述第三输出端耦接。

3.根据权利要求2所述的与DC-DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，其特征在于，所述滤波电路模块包括第二电容和第三电容，所述第二电容的一端与所述第一电容耦合，另一端与所述第三输出端耦接，所述第三电容与所述第二电容并联连接，且所述第二电容连接所述第一电容的一端接地，其中所述第三电容的容量小于所述第二电容的容量。

4.根据权利要求2所述的与DC-DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，其特征在于，所述控制端包括第二输入端和上拉电阻，所述第二输入端与所述上拉电阻的一端耦接，所述上拉电阻的另一端与所述第一耗尽型NMOS管的栅极耦接。

5.根据权利要求1所述的与DC-DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，其特征在于，还包括第二耗尽型NMOS管，所述第二耗尽型NMOS管的漏极与所述第一耗尽型NMOS管的漏极耦接，所述第二耗尽型NMOS管的源极与所述第一耗尽型NMOS管的源极耦接，所述第二耗尽型NMOS管的栅极与所述第一耗尽型NMOS管的栅极耦接。

6.根据权利要求1所述的与DC-DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，其特征在于，所述降压模块包括降压电阻，所述降压电阻的一端与所述第一输入端耦接，另一端与所述第一输出端耦接。

7.根据权利要求4所述的与DC-DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，其特征在于，还包括第四电容，所述第一耗尽型NMOS管的漏极与所述第二输入端的连接点与所述第四电容的一端耦接，所述第四电容的另一端接地。

8.根据权利要求7所述的与DC-DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，其特征在于，还包括第五电容，所述第五电容的一端与所述第一输出端耦接，所述第五电容的另一端接地。

9.根据权利要求8所述的与DC-DC变换器和LDO组合式电路等效的降压电路，其特征在于，还包括第六电容，所述第六电容的一端与所述第二输出端耦接，所述第六电容的另一端接地。