[实用新型]用于不同倍率光刻机的套刻标记

说明书

本公开提供了一种用于不同倍率光刻机的套刻标记，其特征在于，包括：第一层套刻标记，所述第一层套刻标记被设置为十字形图案，并且用于X倍投影倍率的光刻机，X1,第二层套刻标记，所述第二层套刻标记被设置为回字形图案，并且用于1倍投影倍率的光刻机，以及当所述第一层套刻标记和所述第二层套刻标记被形成在晶圆上时，所述十字形的端点与所述回字形内部的四边等距。

技术领域

本公开涉及半导体工艺技术领域，更具体地，涉及一种用于不同倍率光刻机的套刻标记。

背景技术

通常半导体集成电路工艺中涉及光刻机之间套刻的方式普遍采用步进式光刻机与步进式光刻机的套刻模式，需要前一层和后一层两层套刻，套刻过程中需要对每次套刻标记进行多步量测，不仅步骤繁琐，而且增加了光刻工艺的时间，降低了生产效率。

目前，在半导体工艺中所采用的步进式光刻机的投影倍率一般为4X或5X，而接触式光刻机的投影倍率为1X。对于不同倍率的光刻机，目前没有厂商提供标准的匹配方法。

实用新型内容

本公开的实施例提供了一种用于步进式光刻机与接触式光刻机的套刻标记，根据本实用新型的实施例的套刻标记，只需要一次对位，简化了套刻精度的测量、较少光刻套刻时间并且提高了生产效率。

本公开的实施例提供了一种用于不同倍率光刻机的套刻标记，其特征在于，包括：第一层套刻标记，所述第一层套刻标记被设置为十字形图案，并且用于X倍投影倍率的光刻机，X1,第二层套刻标记，所述第二层套刻标记被设置为回字形图案，并且用于1倍投影倍率的光刻机，以及当所述第一层套刻标记和所述第二层套刻标记被形成在晶圆上时，所述十字形的端点与所述回字形内部的四边等距。

本公开的实施例提供了一种用于不同倍率光刻机的套刻标记，其特征在于，所述X倍投影倍率的光刻机为步进式光刻机或者步进扫描式光刻机。

本公开的实施例提供了一种用于不同倍率光刻机的套刻标记，其特征在于，所述1倍投影倍率的光刻机为接触式光刻机。

本公开的实施例提供了一种用于不同倍率光刻机的套刻标记，其特征在于，所述第一层套刻标记被形成在晶圆上。

本公开的实施例提供了一种用于不同倍率光刻机的套刻标记，其特征在于，所述第一层套刻标记被形成为由长度为m和宽度为h的线段形成，通过具有长度为Xm并且宽度为Xh的线段的掩膜版十字形图案来生成所述第一层套刻标记。

本公开的实施例提供了一种用于不同倍率光刻机的套刻标记，其特征在于，其中，m为200um～300um，并且h为20um～30um。

本公开的实施例提供了一种用于不同倍率光刻机的套刻标记，其特征在于，所述第二层套刻标记通过掩膜版回字形图案来形成。

本公开的实施例提供了一种用于不同倍率光刻机的套刻标记，其特征在于，所述第二层套刻标记的回字形图案的四边的厚度20～30um，内边间长度为大于m的L，L为250um～350um。

本公开的实施例提供了一种用于不同倍率光刻机的套刻标记，其特征在于，在晶圆上形成多个所述第一层套刻标记和多个所述第二层套刻标记，并且所述多个所述第一层套刻标记关于所述晶圆的中心对称，以及所述多个所述第二层套刻标记关于所述晶圆的中心对称，其中，所述多个第一层套刻标记包括大于等于2个的第一层套刻标记。

本公开的实施例提供了一种用于不同倍率光刻机的套刻标记，其特征在于，在晶圆上形成所述第一层套刻标记和所述第二层套刻标记时，所述第一层套刻标记的中心与晶圆中心之间的距离为第一距离，以及所述第二层套刻标记记的中心与晶圆中心之间的距离为第一距离。

附图说明

从结合附图的以下描述中，本公开的某些实施例的以上以及其他方面、特征和优点将更加显而易见，其中：

图1示出了根据本实用新型实施例的套刻标记的示意图；