[实用新型]一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源有效

专利信息
申请号: 202220658635.0 申请日: 2022-03-24
公开(公告)号: CN217562512U 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 白晓厚;王俊润;姚泽恩;张宇;韦峥;卢小龙;徐大鹏;马占文;刘昌奇 申请(专利权)人: 兰州大学
主分类号: H01J27/18 分类号: H01J27/18;H01Q1/22
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 苟莉
地址: 730000 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 永磁体 结构 天线 内置 rf 离子源
【权利要求书】:

1.一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源,包括放电腔体(23)、RF内置天线(10)、馈入端磁场线包(11)、引出端磁场线包(14)、八极永磁体(13)、束流引出端封装组件、屏蔽罩(1)、进气孔(5)和冷却系统,其特征在于:所述放电腔体(23)前端设置有馈入端封闭板(8),放电腔体(23)内部设置有RF内置天线(10),放电腔体(23)外侧壁上设置有磁场线包支架(21),磁场线包支架(21)内部从前端到尾端依次设置有馈入端磁场线包(11)、八极永磁体(13)和引出端磁场线包(14),所述放电腔体(23)的尾端可拆卸安装有束流引出端封装组件,束流引出端封装组件的外沿处通过引出端磁轭(15)固定连接有屏蔽罩(1)。

2.根据权利要求1所述的一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源,其特征在于:所述束流引出端封装组件由钼制引出板(18)、一级固定封装法兰(20)和二级固定封装法兰(17)组成,钼制引出板(18)位于放电腔体(23)尾端内部,钼制引出板(18)的中间位置上设置有束流引出孔(19),钼制引出板(18)的外沿处卡合设置有引出端磁轭(15),引出端磁轭(15)可拆卸固定设置在放电腔体(23)上,所述一级固定封装法兰(20)通过二级固定封装法兰(17)安装固定在引出端磁轭(15)上。

3.根据权利要求2所述的一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源,其特征在于:所述钼制引出板(18)靠近RF内置天线一端的内壁为倾斜状,且其与放电腔体(23)内壁之间的夹角为100°。

4.根据权利要求1所述的一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源,其特征在于:所述馈入端磁场线包(11)、八极永磁体(13)和引出端磁场线包(14)之间均设置有凸起的支架,支架固定设置在磁场线包支架(21)上。

5.根据权利要求4所述的一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源,其特征在于:所述八极永磁体(13)的单极扇形角为40°,相邻永磁体之间留有用于安装八极永磁体支架的缝隙,八极永磁体支架固定设置在磁场线包支架(21)上。

6.根据权利要求1所述的一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源,其特征在于:所述放电腔体(23)尾端设置有密封槽,密封槽内放置有引出端真空封装“O”型密封圈(16)。

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