[实用新型]一种软开关分布式供能变换器起机尖峰抑制电路有效
申请号: | 202220456660.0 | 申请日: | 2022-03-03 |
公开(公告)号: | CN217282691U | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 陈玮钰;张超 | 申请(专利权)人: | 深圳市振邦智能科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02H9/04 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 巫苑明 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明新区玉塘*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 开关 分布式 变换器 尖峰 抑制 电路 | ||
1.一种软开关分布式供能变换器起机尖峰抑制电路,其特征在于,包括:
控制器;
供能电源;
驱动器,连接所述控制器;
开关模块,分别连接所述驱动器和所述供能电源,所述控制器通过控制所述驱动器驱动所述开关模块进行开关操作;
尖峰抑制模块,连接所述开关模块,所述尖峰抑制模块用于吸收抑制起机阶段所述开关模块产生的尖峰电压;
温度检测模块,连接所述控制器,所述温度检测模块用于检测所述尖峰抑制模块的温度,并向所述控制器发送判断信号,所述控制器基于所述判断信号控制所述驱动器驱动所述开关模块进行开关操作;
供能变换模块,分别连接所述开关模块和供能输出端口,所述供能变换模块用于在所述开关模块开启时,对所述供能电源进行能量转换,以对所述供能输出端口输出。
2.根据权利要求1所述的软开关分布式供能变换器起机尖峰抑制电路,其特征在于:所述开关模块包括NMOS管QT1和NMOS管QT2,所述NMOS管QT1和NMOS管QT2的栅极分别连接所述驱动器,所述NMOS管QT1和NMOS管QT2的源极分别连接所述供能电源的负极,所述NMOS管QT1和NMOS管QT2的漏极分别通过所述供能变换模块连接所述供能电源的正极。
3.根据权利要求2所述的软开关分布式供能变换器起机尖峰抑制电路,其特征在于:所述尖峰抑制模块包括瞬态抑制二极管TVS1和瞬态抑制二极管TVS2,所述瞬态抑制二极管TVS1的阳极连接所述NMOS管QT1的源极,所述瞬态抑制二极管TVS1的阴极连接所述NMOS管QT1的漏极,所述瞬态抑制二极管TVS2的阳极连接所述NMOS管QT2的源极,所述瞬态抑制二极管TVS2的阴极连接所述NMOS管QT2的漏极。
4.根据权利要求2所述的软开关分布式供能变换器起机尖峰抑制电路,其特征在于:所述供能变换模块包括变压器TF1,所述变压器TF1的输入绕组包括第一输入绕组和第二输入绕组,所述第一输入绕组分别连接所述NMOS管QT1的漏极和所述供能电源的正极,所述第二输入绕组分别连接所述NMOS管QT2的漏极和所述供能电源的正极。
5.根据权利要求3所述的软开关分布式供能变换器起机尖峰抑制电路,其特征在于:所述开关模块包括电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6,所述电阻R3设置于所述NMOS管QT1的栅极和所述驱动器之间,所述电阻R4设置于所述NMOS管QT1的栅极和所述NMOS管QT1的源极之间;
所述电阻R5设置于所述NMOS管QT2的栅极和所述驱动器之间,所述电阻R6设置于所述NMOS管QT2的栅极和所述NMOS管QT2的源极之间。
6.根据权利要求1所述的软开关分布式供能变换器起机尖峰抑制电路,其特征在于:所述供能电源的正极和负极之间设置极性电容E1,所述极性电容E1的正极连接所述供能电源的正极,所述极性电容E1的负极连接所述供能电源的负极。
7.根据权利要求1所述的软开关分布式供能变换器起机尖峰抑制电路,其特征在于:所述温度检测模块包括热敏电阻NTC1和热敏电阻NTC2,所述热敏电阻NTC1和热敏电阻NTC2的一端分别接地,所述热敏电阻NTC1的另一端通过电阻R1连接上拉电源,所述热敏电阻NTC1的另一端连接所述控制器,所述热敏电阻NTC2的另一端通过电阻R2连接所述上拉电源,所述热敏电阻NTC2的另一端连接所述控制器。
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