[实用新型]高密度电源有效
申请号: | 202220306006.1 | 申请日: | 2022-02-15 |
公开(公告)号: | CN216959666U | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 郭跃森;杜帅林;董慨;孙玮伯 | 申请(专利权)人: | 台达电子企业管理(上海)有限公司 |
主分类号: | H02M1/44 | 分类号: | H02M1/44;H02M1/00;H02M3/04 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 阚梓瑄;李建忠 |
地址: | 201209 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高密度 电源 | ||
1.一种高密度电源,其特征在于,包括:
壳体,具有并排设置的第一风道和第二风道;
风扇,设置于所述壳体内侧或者壳体外侧;
PFC模块,设置于所述第一风道;
DC/DC模块,设置于所述第一风道;所述DC/DC模块包括至少一个DC/DC转换电路,每个所述DC/DC转换电路包括多个功率器件、变压器磁芯和变压器绕组,所述变压器磁芯和所述变压器绕组设置在第一PCB上,其中所述变压器磁芯和所述变压器绕组共同构成变压器;
EMI模块,所述EMI模块横跨于所述第一风道和所述第二风道之上;和
主板,设置于所述壳体内,其中所述PFC模块、所述至少一个DC/DC转换电路和所述EMI模块分别与所述主板电性连接。
2.如权利要求1所述的高密度电源,其特征在于,所述DC/DC转换电路为LLC谐振电路。
3.如权利要求1所述的高密度电源,其特征在于,所述第一PCB具有相对的顶侧和底侧以及相对的左侧和右侧,所述变压器磁芯由所述第一PCB的右侧向左侧延伸,并由顶侧向底侧延伸,所述多个功率器件的部分邻近所述第一PCB底侧。
4.如权利要求3所述的高密度电源,其特征在于,所述多个功率器件相对于所述第一PCB的高度不高于所述变压器磁芯相对于所述第一PCB的高度。
5.如权利要求2所述的高密度电源,其特征在于,每个所述LLC谐振电路还包括设置在所述第一PCB上的电感磁芯和电感绕组;所述电感磁芯与所述电感绕组共同形成谐振电感。
6.如权利要求5所述的高密度电源,其特征在于,所述电感磁芯与所述变压器磁芯并排设置,且所述电感磁芯位于所述变压器磁芯的左侧。
7.如权利要求5所述的高密度电源,其特征在于,所述电感磁芯与所述变压器磁芯集成为一体结构。
8.如权利要求1所述的高密度电源,其特征在于,所述DC/DC转换电路中的多个功率器件分别用于形成副边电路和原边电路。
9.如权利要求8所述的高密度电源,其特征在于,用于形成所述副边电路的功率器件设置于所述第一PCB上,并位于所述变压器磁芯下方;用于形成所述原边电路的功率器件设置于所述第一PCB上,并位于所述变压器磁芯的左侧。
10.如权利要求8所述的高密度电源,其特征在于,用于形成所述副边电路的功率器件设置于所述第一PCB上,并位于所述变压器磁芯下方,用于形成所述原边电路的功率器件设置于所述主板。
11.如权利要求1所述的高密度电源,其特征在于,还包括第二PCB;所述第二PCB设置于所述主板且位于所述第一PCB的一侧,其中所述第二PCB垂直于所述主板。
12.如权利要求1所述的高密度电源,其特征在于,所述PFC模块包括PFC电感,所述PFC电感设置于所述DC/DC模块的前方,并且所述PFC电感与所述主板电性连接。
13.如权利要求11所述的高密度电源,其特征在于,所述多个功率器件的一部分设置在所述第二PCB上,用于形成原边电路,所述多个功率器件的另一部分设置于所述第一PCB上,用于形成副边电路。
14.如权利要求1所述的高密度电源,其特征在于,所述EMI模块包括第一共模电感、第一电容、第二电容和第二共模电感,其中所述第一共模电感和所述第一电容位于所述第一风道,并位于所述PFC模块的前方,所述第二共模电感和所述第二电容位于所述第二风道。
15.如权利要求14所述的高密度电源,其特征在于,还包括母线电容,所述母线电容设置于所述第二风道,并位于所述第二共模电感的后方。
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