[实用新型]高开/低开型PWM驱动信号的调光控制单元及驱动电路有效

专利信息
申请号: 202220216780.3 申请日: 2022-01-26
公开(公告)号: CN217470328U 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 周丹;杨光;孙闯 申请(专利权)人: 上海航铠电子科技有限公司
主分类号: H05B45/325 分类号: H05B45/325;H05B45/3725
代理公司: 上海世圆知识产权代理有限公司 31320 代理人: 顾俊超
地址: 201514 上海市金*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 低开型 pwm 驱动 信号 调光 控制 单元 电路
【说明书】:

实用新型公开高开/低开型PWM驱动信号的调光控制单元及驱动电路。高开/低开型PWM驱动信号的调光控制单元由电阻Rxf1、电阻Rxf2、电阻Rxf3、电阻Rxx1、NPN型三极管Qd1、P沟道MOS管及N沟道MOS管等组成。本实用新型的有益效果在于:调光控制单元具有高开输出及低开输出两种工作模式,按需自由配置驱动电路,不受限制。

技术领域

本实用新型涉及机载控制板组件与调光控制系统,特别地是,高开/低开型PWM驱动信号的调光控制单元及驱动电路。

背景技术

目前针对机载控制板组件及调光控制系统研制的配套调光控制单元存在无法自由切换配置高开、低开模式问题,即调光控制电路仅具有单一的高开型PWM驱动信号输出或单一的低开型PWM驱动信号输出。

实用新型内容

本实用新型目的是解决现有技术中的问题,而提供一种新型的高开/低开型PWM驱动信号的调光控制电路。

为了实现这一目的,本实用新型的技术方案如下:高开/低开型PWM驱动信号的调光控制单元,包括:电阻Rxf1、电阻Rxf2、电阻Rxf3、电阻Rxx1、NPN型三极管Qd1、P沟道MOS管及N沟道MOS管,电阻Rxf3第一端用于接直流驱动电源PWM_P1,电阻Rxf3第二端分别接P沟道MOS管栅极及电阻Rxf1第一端,电阻Rxf1第二端接NPN型三极管Qd1集电极,NPN型三极管Qd1发射极接地端,P沟道MOS管漏极用于输出高开型PWM驱动信号,电阻Rxx1第一端、电阻Rxf2第一端及N沟道MOS管栅极均用于接收波形控制信号PWM-1,电阻Rxx1第二端接NPN型三极管基极,电阻Rxf2第二端接地端,N沟道MOS管源极接地端,N沟道MOS管漏极用于输出低开型PWM驱动信号。

本实用新型还提供驱动电路,包括:直流驱动电源PWM_1、FPGA、继电器切换单元及所述的高开/低开型PWM驱动信号的调光控制单元,直流驱动电源PWM_1接电阻Rxf3第一端,FPGA的信号输出端分别接电阻Rxx1第一端、电阻Rxf2第一端及N沟道MOS管栅极,FPGA的信号输出端用于输出波形控制信号PWM-1,继电器切换单元具有单刀双掷开关部及线圈部,单刀双掷开关部第一动端接P沟道MOS管漏极,单刀双掷开关部第二动端接N沟道MOS管漏极,单刀双掷开关部静端接LED正端,LED负端接地端,线圈部用于接收切换信号。

本实用新型还提供驱动电路,包括:直流驱动电源PWM_1、FPGA、继电器切换单元及所述的高开/低开型PWM驱动信号的调光控制单元,直流驱动电源PWM_1接电阻Rxf3第一端,FPGA的信号输出端分别接电阻Rxx1第一端、电阻Rxf2第一端及N沟道MOS管栅极,FPGA的信号输出端用于输出波形控制信号PWM-1,继电器切换单元具有单刀双掷开关部及线圈部,单刀双掷开关部第一动端接P沟道MOS管漏极,单刀双掷开关部第二动端接N沟道MOS管漏极,单刀双掷开关部静端接LED负端,LED正端接直流驱动电源PWM_1,线圈部用于接收切换信号。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:调光控制单元具有高开输出及低开输出两种工作模式,按需自由配置驱动电路,不受限制。

附图说明

图1为本实用新型实施例1的电路结构示意图。

图2为本实用新型实施例1的电路原理示意图。

图3为本实用新型实施例2的电路结构示意图。

图4为本实用新型实施例2的电路原理示意图。

具体实施方式

下面通过具体的实施方式结合附图对本实用新型作进一步详细说明。在此需要说明的是,对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用新型,但不构成对本实用新型的限定。此外,下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

实施例1:

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