[实用新型]基于NMOS的低功耗迟滞欠压保护电路有效
| 申请号： | 202220191857.6 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN216851279U | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 代秋林;张金龙;李光;王铭泽;石宁 | 申请（专利权）人： | 重庆冲程科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/24 | 分类号： | H02H3/24;H02H3/02 |
| 代理公司： | 重庆启恒腾元专利代理事务所(普通合伙) 50232 | 代理人： | 黎志红 |
| 地址： | 401120 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 nmos 功耗 迟滞 保护 电路 | ||
【权利要求书】：
1.基于NMOS的低功耗迟滞欠压保护电路，其特征在于，包括：
电池电源输出VCC、电压上限检测电路、电压下限检测电路、开关控制电路和电源输出使能POWER_EN；
所述电压上限检测电路包括稳压二极管D1和电阻R1，稳压二极管D1与电阻R1串联在电池电源输出和接地端之间；
所述开关控制电路包括两个NMOS管Q1、Q2，NMOS管Q1的漏极接电源输出使能POWER_EN，栅极接NMOS管Q2的漏极，且两个NMOS管Q1、Q2的源极均接地；
所述电压下限检测电路包括电阻R2、R3、R4和R5，NMOS管Q1的漏接通过电阻R4接电池电源输出VCC，NMOS管Q2的漏接通过电阻R2接电池电源输出VCC，电阻R3和R5串联后一端接在稳压二极管D1和电阻R1之间，另一端接电源输出使能POWER_EN，且NMOS管Q2的栅极接在电阻R3和R5之间。
2.根据权利要求1所述的基于NMOS的低功耗迟滞欠压保护电路，其特征在于，所述稳压二极管D1包括正极和负极，正极与电阻R1连接，负极与电池电源输出VCC连接。
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