[实用新型]一种用于光刻机的EUV辐射源产生装置

说明书

本实用新型公开了一种用于光刻机的EUV辐射源产生装置，包括传送带；其特征在于：还包括EUV辐射源产生单元、清洗单元、燃料注入单元、真空控制单元；所述EUV辐射源产生单元包括反光杯和激光器；在传送带的带体上设置有通光孔，在通光孔内设置有激光晶体，在激光晶体上部设置有涂层，在涂层上设置有多个微米孔，在微米孔内设置有可产生极紫外光的燃料；所述清洗单元包括碎片清洗腔和蒸汽喷头；所述燃料注入单元包括燃料注入腔和高压喷嘴；在燃料注入腔前部设置有第一机械臂和辅助光源，在燃料注入腔后部设置有第二机械臂。本实用新型有效实现了装置的连续运行，保证了燃料加注的可靠，提高了装置的产生效率，同时达到提高光刻精度的目的。

技术领域

本实用新型属于光刻机辅助装置技术领域，具体涉及一种用于光刻机的EUV辐射源产生装置。

背景技术

极紫外光刻（Extreme Ultra-violet），常称作EUV光刻，它是以波长为10-14纳米的极紫外光作为辐射源的光刻技术，现阶段通用的波长为13.4nm。在现有的光刻机中，目前最先进的光刻机已经达到3nm级别水平，1nm级别的NA EUV光刻机的设计方案也已经完成；而制造高端光刻机的难点中的难点是EUV光的制造与收集，但现有的国产光刻机中，缺乏EUV极紫外光的制造技术。

光致发光（Photoluminescence，简称PL）是冷发光的一种，指物质吸收光子（或电磁波）后重新辐射出光子（或电磁波）的过程。

专利号为ZL 202120462649.0的实用新型公开了一种用于光刻机的EUV光源发生器结构，其包括传送带，在传送带上设置有多组EUV光源发生器，在传送带下部设置有激光器；所述EUV光源发生器包括带体，在带体上设置一通光孔，通光孔内纵向设置有由多根纳米管构成的纳米管束，纳米管束下侧设置透光的封堵，在封堵上部设置有光致发光体；在通光孔所对应的传送带位置设置有供激光器发出的光通过的通孔。该实用新型结构中，入射光束通过数次击打EUV光源发生器上的光致发光体，使其激发出极紫外光光子，极紫外光光子通过纳米管束的引导及分流作用，形成多条近乎平行的光束，再通过光束矫正系统等装置，最终输送至物镜用于进行刻蚀，通过传送带的连续转动，将含有未被激光激发的光致发光体的EUV光源发生器，连续输送至激光器垂直上方，使激光器发出的入射光可以连续击打新鲜的光致发光体，从而实现连续激发出极紫外光的效果。

但是，该实用新型专利与申请公布号CN102823330A的实用新型专利EUV辐射源以及EUV辐射源产生办法，提供的方法类似，影响了该实用新型专利的稳定性，而该实用新型采用管束结构，使其存在极紫外光的收集角度小，管底部易被极紫外光攻击而损坏的问题，由于该实用新型只能进行饱和攻击，无法避免激光击打纳米管束底部，从而进一步的影响器件的使用寿命。此外，该实用新型缺少“光致发光体”清洗及注入装置，使其不能实现全自动化。

申请公布号CN102823330A的实用新型专利EUV辐射源以及EUV辐射源产生办法，公开了一种EUV辐射源制备方法，包括配置成将燃料的液滴传输至等离子体产生位置的燃料供给装置；配置成提供第一激光束辐射的第一激光束源，该第一激光束辐射在等离子体产生位置入射到燃料液滴上并由此蒸发燃料液滴以产生用于发射EUV辐射的等离子体；以及配置成随后在等离子体产生位置处提供第二激光束辐射的第二激光束源，第二激光束辐射配置成蒸发由燃料液滴的不完全蒸发引起的碎片颗粒。该专利可制备EUV辐射源，但是由于单次携带燃料液滴数量少，产生的EUV辐射的强度不高，若选择增加燃料液滴体积以增加单次燃料携带量，则激光束的辐射强度也相应需要增加，但目前的激光器激发的激光强度达不到要求，因此目前不能作为EUV光刻机的辐射源。

在现有的激光器激发的激光强度有限的情况下，目前现有技术，是通过每秒连续击打5万滴直径约20微米的锡液滴，实现EUV辐射源的制备，但是其性能仍有进一步提升的空间，由于无法避免多组激光器击打同一金属锡液滴，使激光器的数量只能有一组，若能避免多组激光器击打同一金属锡液滴，可增加激光器的数量，从而增加EUV辐射源的强度。此外，增加EUV辐射源强度的办法还有，增加单位时间内导入EUV辐射源产生装置中的锡的量，以及减少EUV光被吸收等。