[实用新型]一种波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列有效
| 申请号： | 202220143776.9 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN216903721U | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 郑君雄 | 申请（专利权）人： | 深圳市中科光芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/42 | 分类号： | H01S5/42;H01S5/062;H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 波长 调谐 垂直 发射 激光器 阵列 | ||
1.一种波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，各垂直腔面发射激光器的固有热阻不同，各垂直腔面发射激光器采用共阳极连接，各垂直腔面发射激光器的阴极分别连接驱动电路。
2.根据权利要求1所述的波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，各垂直腔面发射激光器的氧化限制层的氧化孔径均不同。
3.根据权利要求1所述的波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包括：
衬底（1）；
形成于衬底（1）下表面的下电极（2）；
形成于衬底（1）上表面的缓冲层（3）；
形成于缓冲层（3）上表面的下分布式布拉格反射镜（4）；
形成于下分布式布拉格反射镜（4）上表面的有源区（5）；
形成于有源区（5）上表面的氧化限制层（6）；
形成于氧化限制层（6）上表面的上分布式布拉格反射镜（7）；
形成于上分布式布拉格反射镜（7）上表面的上电极（8）。
4.根据权利要求1所述的波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，驱动所述阵列的驱动电路包括：
充电控制模块，用于控制电路充电；
储能模块，用于存储电能；
放电控制模块，用于控制储能模块放电；
主控电路模块，用于输出充电控制信号和放电控制信号。
5.根据权利要求3所述的波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，下分布式布拉格反射镜（4）和上分布式布拉格反射镜（7）均由具有不同折射率的化合物半导体层交替层叠而成。
6.根据权利要求3所述的波长可调谐的垂直腔面发射激光器阵列，其特征在于，有源区（5）包括有源层，所述有源层为具有多量子阱结构的化合物半导体层。
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