[实用新型]具备电流沉能力的电压产生电路及芯片

说明书

本实用新型提供一种具备电流沉能力的电压产生电路及芯片，所述具备电流沉能力的电压产生电路包括：电流匹配单元，包括第一电流源和第二电流源；电流密度匹配单元，与所述电流匹配单元连接，包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一电流源与所述第一MOS管连接，所述第二电流源与所述第二MOS管连接，所述第一MOS管的栅极分别与所述第一MOS管的漏极、所述第二MOS管的栅极连接；参考电压单元，与所述第一MOS管连接；输出电压单元，与所述第二MOS管连接。本实用新型提供了一种电路结构简洁紧凑，并且可提供电流沉的电压产生电路。

技术领域

本实用新型属于电压产生电路设计的技术领域，涉及一种电压产生电路，特别是涉及一种具备电流沉能力的电压产生电路及芯片。

背景技术

目前，参考电压产生电路，通常由OTA(Operational Transimpedance Amplifier，跨导运算放大器)或者运算放大器OPA(Operational Amplifier，运算放大器)来实现。在仅需要电流沉输出能力的应用时，输出级仅仅由NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属-氧化物-半导体)管提供，但由于是多级设计，并且还需要补偿电容，如图1所示，V_out＝V_ref，V_ref表示参考电压，Cc表示补偿电容。由此，整个电路结构所占面积比较大。

因此，如何针对现有的电压产生电路，解决现有技术无法提供一种电路结构简洁紧凑，并且可提供电流沉的电压产生电路等缺陷，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种具备电流沉能力的电压产生电路及芯片，用于解决现有技术无法提供一种电路结构简洁紧凑，并且可提供电流沉的电压产生电路的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型一方面提供一种具备电流沉能力的电压产生电路，所述具备电流沉能力的电压产生电路包括：电流匹配单元，包括第一电流源和第二电流源；电流密度匹配单元，与所述电流匹配单元连接，包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一电流源与所述第一MOS管连接，所述第二电流源与所述第二MOS管连接，所述第一MOS管的栅极分别与所述第一MOS管的漏极、所述第二MOS管的栅极连接；参考电压单元，与所述第一MOS管连接；输出电压单元，与所述第二MOS管连接。

于本实用新型的一实施例中，所述参考电压单元包括参考电压调整电阻，所述参考电压调整电阻的一端与所述第一MOS管的源极连接，另一端与地连接。

于本实用新型的一实施例中，所述输出电压单元包括输出MOS管；所述输出MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极连接，所述输出MOS管的源极与地连接。

于本实用新型的一实施例中，所述输出MOS管的栅极分别与所述第二电流源、所述第二MOS管的漏极连接。

于本实用新型的一实施例中，所述输出电压单元还包括：电压转换器；所述电压转换器分别与所述第二MOS管的漏极、所述输出MOS管的栅极连接。

于本实用新型的一实施例中，所述电压转换器包括：分压电阻、第三电流源和第四电流源；所述输出MOS管的栅极分别与所述分压电阻的一端、所述第四电流源连接，所述分压电阻的另一端与所述第三电流源连接；所述第三电流源的输出端与所述第二电流源汇聚至所述第二MOS管的漏极。

于本实用新型的一实施例中，所述输出电压单元还包括：跟随器；所述跟随器分别与所述第二MOS管的漏极、所述输出MOS管的栅极连接。

于本实用新型的一实施例中，所述跟随器包括：第五电流源和跟随器MOS管；所述跟随器MOS管的漏极与电源连接，栅极与所述第二MOS管的漏极连接，源极分别与所述输出MOS管的栅极、所述第五电流源连接。