[发明专利]无直接贯穿缝隙的拼砌式屏蔽砌块在审
申请号: | 202211740903.4 | 申请日: | 2022-12-30 |
公开(公告)号: | CN116230280A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 田英男;米爱军;毛亚蔚;陈宗欢;王雅霄;杨德锋;王晓霞;王炳衡;高桂玲;邱林;谢思洋;常叶笛;刘耸;尤伟;申静怡;李晓静;刘雪凇;赵秋娟;朱宇琛 | 申请(专利权)人: | 中国核电工程有限公司 |
主分类号: | G21F3/04 | 分类号: | G21F3/04 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 宋鸣镝;刘磊 |
地址: | 100840 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直接 贯穿 缝隙 拼砌式 屏蔽 砌块 | ||
1.一种无直接贯穿缝隙的拼砌式屏蔽砌块,包括至少一个凸出层(1)和至少一个相邻层(2),所述凸出层(1)和所述相邻层(2)沿所述屏蔽砌块的轴向相互连接,其特征在于,多个所述屏蔽砌块的所述凸出层(1)在与其轴向垂直的平面上互相拼砌形成具有相同空缺的连续平面,所述空缺与所述相邻层(2)的轴向投影相同。
2.根据权利要求1所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述凸出层(1)和所述相邻层(2)满足如下关系,
R≥r,
其中R为所述凸出层(1)的轴向投影的最大内切圆的半径,r为所述相邻层(2)的轴向投影的最小外接圆的半径。
3.根据权利要求2所述的屏蔽砌块,其特征在于,1.5r≤R≤2.5r。
4.根据权利要求2所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述凸出层(1)和所述相邻层(2)具有相同的轴线,且相对于所述轴线均为旋转对称结构。
5.根据权利要求4所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述屏蔽砌块的所述凸出层(1)和所述相邻层(2)中的至少一者为两层或两层以上,所述凸出层(1)和所述相邻层(2)间隔设置。
6.根据权利要求5所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述凸出层(1)和/或所述相邻层(2)在轴向上的厚度为所述屏蔽砌块在轴向上厚度的1/(n+2)至1/(n-2),其中,n为在轴向上所述凸出层(1)和所述相邻层(2)的层数和。
7.根据权利要求6所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述屏蔽砌块包括第一屏蔽砌块(3)和第二屏蔽砌块(4),所述第一屏蔽砌块(3)和所述第二屏蔽砌块(4)在轴向上的厚度相同,并且所述第一屏蔽砌块(3)和所述第二屏蔽砌块(4)在与轴向垂直的平面上相互拼砌形成无直接贯穿缝隙的屏蔽体。
8.根据权利要求7所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述第一屏蔽砌块(3)包括两个所述相邻层(2)和一个所述凸出层(1),所述第二屏蔽砌块(4)包括两个所述凸出层(1)和一个所述相邻层(2),所述相邻层(2)和/或所述凸出层(1)的厚度为所述屏蔽砌块厚度的20%-60%。
9.根据权利要求7-8任一项所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述凸出层(1)和所述相邻层(2)均为棱柱结构,且所述凸出层(1)和所述相邻层(2)的底面均为正多边形。
10.根据权利要求9所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述凸出层(1)为八棱柱,所述相邻层(2)为四棱柱。
11.根据权利要求7-8任一项所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述屏蔽砌块厚度为30mm-2000mm,所述凸出层(1)的轴向投影的最小外切圆半径为25mm-1000mm。
12.根据权利要求1-8任一项所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述凸出层(1)和所述相邻层(2)一体成型或多次成型。
13.根据权利要求1-8任一项所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述凸出层(1)和所述相邻层(2)为相同或不同的材料。
14.根据权利要求1-8任一项所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述凸出层(1)为圆柱,所述相邻层(2)为四角星柱体。
15.根据权利要求1-8任一项所述的屏蔽砌块,其特征在于,所述凸出层(1)为缺角立方体,所述相邻层(2)为立方体。
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