[发明专利]一种常夏石竹组织培养的方法在审
申请号: | 202211730105.3 | 申请日: | 2022-12-29 |
公开(公告)号: | CN115943888A | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 刘瑞霞;龙金飞;张忠青;张德正;栗润清;赵红宇;萨尔那 | 申请(专利权)人: | 内蒙古太伟生态科技有限公司 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00;A01G24/28;A01G24/15;A01G24/12 |
代理公司: | 北京众泽信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11701 | 代理人: | 周振 |
地址: | 010000 内蒙古自治区呼和浩特市新城*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石竹 组织培养 方法 | ||
1.一种常夏石竹组织培养的方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1:选取常夏石竹带有生长点的茎作为外植体;对外植体进行消毒处理后备用;
步骤2:将外植体切成0.8~1.5cm小段接种于初代诱导培养基上,进行初代诱导培养分化出丛生芽;
所述初代诱导培养基为:
MS+6 BA 0.5~1.5mg/L+NAA 0.1mg/L+KT 0.01~0.1mg/L;
所述初代诱导培养的条件为培养温度25±2℃,光照时间12~14h/d,光照强度3000~4000Lx,白天自然光照补光,培养周期是14~20天;
步骤3:将初代诱导培养的丛生芽在继代培养基上培养;
所述继代培养基为:
MS+6-BA 0.5~1.5mg/L+NAA 0.1mg/L+KT 0.01~0.1mg/L;
所述的继代培养条件为培养温度25±2℃,光照时间12~14h/d,光照强度3000~4000Lx,白天自然光照补光,培养周期是14~20天;
步骤4:将继代培养基中长势较好的苗转入生根培养基中,诱导生根;
所述生根培养基为:MS+IBA 0.1~0.5mg/L;
所述的生根培养条件为培养温度25±2℃,光照时间12~14h/d,光照强度3000~4000Lx,白天自然光照补光,培养周期是8~17天;
步骤5:将上述诱导生根后的常夏石竹生根苗进行炼苗和移栽。
2.根据权利要求1所述的一种常夏石竹组织培养的方法,其特征在于:所述初代诱导培养基为:MS+6-BA 1.0mg/L+NAA 0.1mg/L+KT 0.1mg/L;所述继代培养基为:MS+6-BA 1.0mg/L+NAA 0.1mg/L+KT 0.1mg/L;所述生根培养基为:MS+IBA 0.3mg/L。
3.根据权利要求1所述的一种常夏石竹组织培养的方法,其特征在于:所述初代诱导培养的条件为培养温度25±2℃,光照时间12h/d,光照强度3500Lx,白天自然光照补光,培养周期是20天;所述的继代培养条件为培养温度25±2℃,光照时间12h/d,光照强度3500Lx,白天自然光照补光,培养周期是20天;所述的生根培养条件为培养温度25±2℃,光照时间12h/d,光照强度3500Lx,白天自然光照补光,培养周期是15天。
4.根据权利要求1所述的一种常夏石竹组织培养的方法,其特征在于:所述步骤1中常夏石竹外植体的消毒处理过程为:剪取常夏石竹植株嫩茎,去除叶片留茎段,茎段长度剪为2~4cm小段,放入加有洗洁精的自来水中浸泡30min,再用自来水冲洗2h去掉表面污渍,转入超净工作台内进行消毒,在外植体清洗仪中:75%酒精振荡清洗40s,无菌水清洗1~3遍,再放入加有2滴吐温20的0.1%升汞溶液中振荡消毒10min,用无菌水清洗5遍,每次30s以上,于无菌滤纸上吸干水分备用。
5.根据权利要求1所述的一种常夏石竹组织培养的方法,其特征在于:所述步骤2和步骤3的接种过程中,保证外植体有2~3个生长点,且外植体的1/2插入培养基。
6.根据权利要求1所述的一种常夏石竹组织培养的方法,其特征在于:所述步骤5还包括常夏石竹生根后的炼苗阶段,具体方法为:将常夏石竹组织培养瓶盖子拧松后,放置于的温室苗床上,放置1天后,将常夏石竹组织培养瓶盖子拧开,放置2天,期间每天喷水3次清水保湿。
7.根据权利要求1所述的一种常夏石竹组织培养的方法,其特征在于:所述步骤5还包括常夏石竹生根后的移栽阶段,具体方法为:从培养瓶中取出常夏石竹组培苗,用清水将组培苗根部粘附的培养基冲洗干净,然后移栽至穴盘培养基质中。
8.根据权利要求6所述的一种常夏石竹组织培养的方法,其特征在于:所述苗床培养基质为泥炭∶蛭石∶珍珠岩∶河沙为5∶2∶1∶1。
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