[发明专利]静电放电电路、输出级电路、运放、芯片及电子设备在审
申请号: | 202211722853.7 | 申请日: | 2022-12-30 |
公开(公告)号: | CN116073347A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 文宇 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00;H02H9/04 |
代理公司: | 北京慧加伦知识产权代理有限公司 16035 | 代理人: | 李永敏;李志刚 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 放电 电路 输出 芯片 电子设备 | ||
本公开的实施例提供一种静电放电电路、输出级电路、运算放大器、芯片及电子设备。静电放电电路用于对输出级电路的输出端进行静电保护。静电放电电路包括:第一静电释放电路和第二静电释放电路。其中,第一静电释放电路与第二静电释放电路串联连接在地电压端与输出端之间。其中,第一静电释放电路与第二静电释放电路的连接点耦接输出级电路中的固定电压端以使得第一静电释放电路和第二静电释放电路的承压均低于或者等于输出级电路的电源电压的一半。
技术领域
本公开的实施例涉及集成电路技术领域,具体地,涉及静电放电电路、输出级电路、运放、芯片及电子设备。
背景技术
随着集成电路技术的发展,低压工艺经常被应用在集成电路中。由于电路尺寸及功耗的减少,低工作电压可以使集成电路的成本降低。然而在一些集成电路中,由于电源电压高于低压工艺所能承受的最大电压,因此这些集成电路不能使用低压工艺来实现。因为一旦施加到采用低压工艺实现的集成电路上的电压过高则会导致该集成电路中的一个或多个元器件暂时甚至永久性的损坏,从而造成该集成电路不能正常工作。
发明内容
本文中描述的实施例提供了一种输出级电路、运算放大器、芯片及电子设备。
根据本公开的第一方面,提供了一种静电放电电路,用于对输出级电路的输出端进行静电保护。静电放电电路包括:第一静电释放电路和第二静电释放电路。其中,第一静电释放电路与第二静电释放电路串联连接在地电压端与输出端之间。其中,第一静电释放电路与第二静电释放电路的连接点耦接输出级电路中的固定电压端以使得第一静电释放电路和第二静电释放电路的承压均低于或者等于输出级电路的电源电压的一半。
在本公开的一些实施例中,输出级电路包括:第一晶体管、第二晶体管、分压电路、第一承压电路、以及第二承压电路。其中,第一晶体管的控制极耦接其上一级的输出级控制电路的第一输出端。第一晶体管的第一极耦接电源电压端。第一晶体管的第二极耦接第一节点。第二晶体管的控制极耦接输出级控制电路的第二输出端。第二晶体管的第一极接地。第二晶体管的第二极耦接第二节点。分压电路被配置为:对来自电源电压端的电源电压进行分压以生成分压电压,并经由第三节点向第一承压电路和第二承压电路提供分压电压。第一承压电路被布置在第一节点与输出端之间,并被配置为:根据分压电压来控制第一节点的电压,以使得第一晶体管的第一极与第二极之间的电压差低于或者等于电源电压的一半。第二承压电路被布置在第二节点与输出端之间,并被配置为:根据分压电压来控制第二节点的电压,以使得第二晶体管的第一极与第二极之间的电压差低于或者等于电源电压的一半。其中,固定电压端是第二节点。
在本公开的一些实施例中,第一静电释放电路包括:第五晶体管。其中,第五晶体管的控制极耦接第五晶体管的第一极和地电压端。第五晶体管的第二极耦接第二节点。
在本公开的一些实施例中,第二静电释放电路包括:第六晶体管。其中,第六晶体管的控制极耦接第六晶体管的第一极和第二节点。第六晶体管的第二极耦接输出端。
在本公开的一些实施例中,第五晶体管和第六晶体管是NMOS晶体管。
在本公开的一些实施例中,从输出端输出的电压的幅值范围包括:从零伏到电源电压。
在本公开的一些实施例中,分压电压被设置成等于电源电压的一半。
在本公开的一些实施例中,分压电压被设置成使得第一节点和第二节点的电压等于电源电压的一半。
在本公开的一些实施例中,分压电路包括:第一电阻器、以及第二电阻器。其中,第一电阻器的第一端耦接电源电压端。第一电阻器的第二端耦接第三节点。第二电阻器的第一端耦接第三节点。第二电阻器的第二端接地。
在本公开的一些实施例中,第一电阻器的电阻值等于第二电阻器的电阻值。
在本公开的一些实施例中,第一承压电路包括:第三晶体管。其中,第三晶体管的控制极耦接第三节点。第三晶体管的第一极耦接第一节点。
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