[发明专利]一种支持双向电流与超级电容充电的数字电源在审
申请号: | 202211720705.1 | 申请日: | 2022-12-30 |
公开(公告)号: | CN115714526A | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 刘昱歌;陈庆伦;张玉秋 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02M3/157;H02M3/158 |
代理公司: | 广州慧宇中诚知识产权代理事务所(普通合伙) 44433 | 代理人: | 胡燕 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 支持 双向 电流 超级 电容 充电 数字 电源 | ||
1.一种支持双向电流与超级电容充电的数字电源,其特征在于:包括主控模块和控制电路,所述控制电路包括调整模块、检测模块、电压输入端口和电压输出端口;
所述调整模块包括电感线圈L1、升压电路和降压电路,所述电感线圈L1的输入端连接电压输入端口,电感线圈L1的输出端连接电压输出端口;
所述在电感线圈L1与电源输入端口之间设有降压电路;在电感线圈L1与电源输出端口之间设有升压电路;
所述降压电路包括第一MOS管Q1和第二MOS管Q3;所述升压电路包括第三MOS管Q2和第四MOS管Q4;
所述第一MOS管Q1的D极连接电压输入端口,第一MOS管的S极连接电感线圈L1,所述第一MOS管Q1的G极通过第一检波二极管D13连接降压MOS驱动电路;
所述第二MOS管Q3的D极连接电感线圈L1,第二MOS管Q3的S极接地,所述第二MOS管的Q3的G极通过第二检波二极管D16连接降压MOS驱动电路;
所述第三MOS管Q2的D极连接电压输出端口,第三MOS管Q2的S极连接电感线圈L1,所述第三MOS管Q2的G极通过第三检波二极管D14连接升压MOS驱动电路;
所述第四MOS管Q4的D极连接电感线圈L1,第四MOS管Q4的S极接地,所述第四MOS管Q4的G极通过第四检波二极管D17连接升压MOS驱动电路;调整模块上连接有用于检测电压输入端口和电压输出端口上电流值的检测模块;
主控模块根据检测到的电流值产生PWM信号并将该信号发送至升压MOS驱动电路和降压MOS驱动电路,升压MOS驱动电路和降压MOS驱动电路即可根据PWM信号控制升压电路以及降压电路的开关频率。
2.根据权利要求1所述的一种支持双向电流与超级电容充电的数字电源,其特征在于:所述降压MOS驱动电路包括降压驱动芯片U10、降压驱动检波二极管D25、降压驱动第一电容C43、降压驱动第二电容C44、降压驱动第一二极管D28和降压驱动第二二极管D30,所述降压驱动芯片U10的第7引脚连接第一MOS管Q1的G极,降压驱动芯片U10的第5引脚连接第二MOS管Q3的G极,降压驱动芯片U10的第8引脚和第6引脚通过降压驱动检波二极管D25连接供电电源,在降压驱动芯片U10的第6引脚与降压驱动加拨二极管D25之间还设有降压驱动第二电容C44,所述降压驱动芯片U10的第1引脚通过降压驱动第一电容C43接地,降压驱动芯片U10的第2引脚通过降压驱动第一二极管D28接地,降压驱动芯片U10的第3引脚通过降压驱动第二二极管D30接地,降压驱动芯片U10的第4引脚接地;所述降压驱动芯片U10的第2引脚还通过降压电阻R62连接主控模块。
3.根据权利要求1所述的一种支持双向电流与超级电容充电的数字电源,其特征在于:所述升压MOS驱动电路包括升压驱动芯片U11、升压驱动检波二极管D26、升压驱动第一电容C45、升压驱动第二电容C46、升压驱动第一二极管D18和升压驱动第二二极管D31,所述升压驱动芯片U11的第7引脚连接第三MOS管Q2的G极,升压驱动芯片U11的第5引脚连接第四MOS管Q4的G极,升压驱动芯片U11的第8引脚和第6引脚通过升压驱动检波二极管D26连接供电电源,在升压驱动芯片U11的第6引脚与升压驱动加拨二极管D26之间还设有升压驱动第二电容C46,所述升压驱动芯片U11的第1引脚通过升压驱动第一电容C45接地,升压驱动芯片U11的第2引脚通过升压驱动第一二极管D18接地,升压驱动芯片U11的第3引脚通过升压驱动第二二极管D31接地,升压驱动芯片U11的第4引脚接地;所述升压驱动芯片U11的第2引脚还通过升压电阻R63连接主控模块。
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H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
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