[发明专利]一种声波滤波器及信号处理电路

说明书

本申请涉及器件制备技术领域，提供了一种声波滤波器及信号处理电路，声波滤波器包括并联谐振器和串联谐振器，并联谐振器和串联谐振器依次级联，其中，并联谐振器中的谐振器为高阶兰姆波谐振器，高阶兰姆波谐振器所激发的声波模式为一阶反对称兰姆波，串联谐振器中至少部分谐振器为纵向泄露声表面波谐振器，纵向泄露声表面波谐振器所激发的声波模式为纵向漏波。基于本申请实施例，通过使用高阶兰姆波谐振器和纵向泄露声表面波谐振器两种谐振器结构，采用不同的声波模式，混合搭建滤波器，可以克服单一纵向泄露声表面波滤波器右半侧通带的能量泄露问题，可以实现高性能的高频大带宽声波滤波器。

技术领域

本发明涉及器件制备技术领域，尤其涉及一种声波滤波器及信号处理电路。

背景技术

现有滤波器主要基于纵向泄露声表面波谐振器这一单一谐振器结构，通过改变谐振器中叉指电极的周期来改变谐振器的谐振频率。虽然基于碳化硅SiC衬底的纵向泄露声表面波谐振器的谐振频率高，可以搭建中心频率大于4GHz的滤波器，但是当纵向泄露声表面波谐振器的厚度波长比较小时，在其反谐振频率右侧会出现能量泄露，将纵向泄露声表面波谐振器作为并联谐振器，能量泄露点会出现在滤波器带内，会影响滤波器带内性能。另外，纵向泄露声表面波谐振器的机电耦合系数较小，难以实现大带宽滤波器。

为实现高频，现有滤波器也会采用高阶兰姆波谐振器这一单一谐振器结构，该谐振器大多情况下厚度波长比很小，其频率几乎只与厚度相关，很难通过调整叉指电极的周期实现较大范围的频率调整，且稳定性差，功率容量较差，设计难度高，难以实现大带宽滤波器设计。

发明内容

为了解决现有滤波器带内性能会被影响且带宽较小的问题，本申请实施例提供了一种声波滤波器及信号处理电路。

根据本申请的第一方面，提供了一种声波滤波器，包括：

并联谐振器和串联谐振器，并联谐振器和串联谐振器依次级联；

并联谐振器中的谐振器为高阶兰姆波谐振器，高阶兰姆波谐振器所激发的声波模式为一阶反对称兰姆波；

串联谐振器中至少部分谐振器为纵向泄露声表面波谐振器，纵向泄露声表面波谐振器所激发的声波模式为纵向漏波。

进一步地，串联谐振器中每个谐振器为纵向泄露声表面波谐振器；

每个谐振器所激发的声波模式为纵向漏波。

进一步地，串联谐振器包括第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器和第四谐振器，第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器和第四谐振器依次串联；

第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器和第四谐振器均为纵向泄露声表面波谐振器；

第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器和第四谐振器所激发的声波模式均为纵向漏波。

进一步地，串联谐振器中输入输出端口对应的谐振器为高阶兰姆波谐振器；

输入输出端口对应的谐振器所激发的声波模式为一阶反对称兰姆波；

串联谐振器中非输入输出端口对应的谐振器为纵向漏波；

非输入输出端口对应的谐振器所激发的声波模式为纵向漏波。

进一步地，串联谐振器包括第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器和第四谐振器，第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器和第四谐振器依次串联；

第一谐振器和第四谐振器均为高阶兰姆波谐振器，

第二谐振器和第三谐振器均为纵向泄露声表面波谐振器；

第一谐振器和第四谐振器所激发的声波模式均为一阶反对称兰姆波；

第二谐振器和第三谐振器所激发的声波模式均为纵向漏波。