[发明专利]一种电子结构精修模型的新方法

权利要求书

1.一种电子结构精修模型的新方法，其特征在于，包括：步骤一：建立参数Pⁿ，所述参数Pⁿ包括价电子数P_i价、价电子收缩因子κ_i、畸变电子数P_ilmp以及畸变电子收缩因子κ′_i参数的电子密度模型，计算出每个衍射点的理论结构因子；步骤二：通过X射线单晶衍射实验，获得每个衍射点的实验强度，计算出实验结构因子；步骤三：建立理论结构因子与实验结构因子的差值函数；步骤四：采用最小二乘法计算出差值函数中的最小值，获得最优模型的参数Pⁿ对应的价电子数P_i价、价电子收缩因子κ_i、畸变电子数P_ilmp以及畸变电子收缩因子κ′_i参数值。

2.根据权利要求1所述的电子结构精修模型的新方法，其特征在于，步骤一中，建立参数化的电子密度模型ρ：

ρ_i()为第i个原子的电子密度(i＝1,2,3,…,m；m为材料单胞中原子个数)，r为电子的坐标；模型中第一项ρ_i芯(r)描述的是芯电子层的电子密度，对于每个原子都是固定的；模型中第二项P_i价κ_i³ρ_i价(κ_ir)描述的是价电子层的电子密度，其中，价电子数P_i价和价电子收缩因子κ_i是需要精修获得的参数；模型中第三项描述电子云因化学键作用而发生的畸变效应，其中畸变电子数P_ilmp与畸变电子收缩因子κ′_i是需要精修的参数，径向函数R_l(κ′r)和畸变函数d_lmp均为已知函数，P_ilmp下标中的i为第i个原子，l、m、p的取值为l＝0,1,2,…,l_max，其中，l_max为l的最大值；m＝0,1,2,…,l；p为正负号，每个原子的P_ilmp参数总共有

(l_max+1)²个，根据计算出单胞的总电子密度，然后根据傅里叶变换计算出每个衍射点的理论结构因子

3.根据权利要求2所述的电子结构精修模型的新方法，其特征在于，当l_max＝2时，P_ilmp包含的参数有P₀₀(P₀₀＝P₀₀₊＝P_00-),P₁₀(P₁₀＝

P₁₀₊＝P_10-),P₁₁₊,P_11-,P₂₀(P₂₀＝P₂₀₊＝P_20-),P₂₁₊,P_21-,P₂₂₊,P_22-共9个参数。

4.根据权利要求1所述的电子结构精修模型的新方法，其特征在于，步骤二中，通过X射线单晶衍射实验，获得每个衍射点的实验强度I_实验值，根据衍射点强度计算出实验的结构因子

5.根据权利要求1所述的电子结构精修模型的新方法，其特征在于，步骤三中，定义密度模型理论值与实验值之差的差值函数为：

其中，为衍射点指标K(h，k，l)的实验结构因子。

6.根据权利要求5所述的电子结构精修模型的新方法，其特征在于，采用最小二乘法计算出差值函数R(Pⁿ)的最小值，并获得模型的最优参数Pⁿ。