[发明专利]基于双工作模式ASIC芯片控制安全的光伏装置与发电系统

权利要求书

1.一种基于双工作模式ASIC芯片控制安全的光伏装置，其特征在于，所述光伏装置由连接在光伏逆变器的母线上的若干个以串联或并联方式连接的光伏组串构成，若干个光伏组件串联或并联连接构成所述光伏组串，每个所述光伏组件包括功率优化器和接入所述功率优化器的光伏发电单元，所述功率优化器内部包括ASIC芯片(10)，以及设置于所述ASIC芯片(10)的最大功率跟踪电路、模式控制电路、基准工作电压产生电路、驱动控制电路；

所述ASIC芯片(10)设置模式控制端，所述ASIC芯片(10)判断模式控制端的输入电压是否低于预设模式控制电压阈值，若是，则所述ASIC芯片(10)控制所述功率优化器切换到安全工作模式，或维持在安全工作模式；若否，则保持所述功率优化器运行在MPPT最大功率跟踪工作模式；

所述模式控制端为所述ASIC芯片(10)的MODE管脚；

所述模式控制电路通过所述ASIC芯片(10)的所述MODE管脚连接在所述ASIC芯片(10)芯片外围的模式控制电路(40)；

所述模式控制电路通过所述ASIC芯片(10)的所述MODE管脚连接在所述ASIC芯片(10)外围的模式控制电路，所述模式控制电路由第一电阻、第二电阻、接地电容器、低电压保护二极管构成，其中第一电阻的第一端连接所述ASIC芯片(10)的所述MODE管脚，第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端与所述接地电容器的第一端及所述低电压保护二极管的阳极；所述接地电容器的第二端连接所述ASIC芯片(10)的接地引脚；所述低电压保护二极管阴极连接所述ASIC芯片(10)的Vo管脚，所述Vo引脚向所述ASIC芯片(10)提供所述功率优化器输出电压信息；所述第二电阻的第二端连接所述ASIC芯片(10)的VDD管脚，所述VDD引脚提供所述ASIC芯片(10)内部基准工作电压。

2.一种基于双工作模式ASIC芯片控制安全的光伏装置，其特征在于，所述光伏装置由连接在光伏逆变器的母线上的若干个以串联或并联方式连接的光伏组串构成，若干个光伏组件串联或并联连接构成所述光伏组串，每个所述光伏组件包括功率优化器和接入所述功率优化器的光伏发电单元，所述功率优化器内部包括ASIC芯片(10)，以及设置于所述ASIC芯片(10)的最大功率跟踪电路、模式控制电路、基准工作电压产生电路、驱动控制电路；

所述ASIC芯片(10)设置模式控制端，所述ASIC芯片(10)判断模式控制端的输入电压是否低于预设模式控制电压阈值，若是，则所述ASIC芯片(10)控制所述功率优化器切换到安全工作模式，或维持在安全工作模式；若否，则保持所述功率优化器运行在MPPT最大功率跟踪工作模式；

所述模式控制端为所述ASIC芯片(10)的MODE管脚；

所述模式控制电路通过所述ASIC芯片(10)的所述MODE管脚连接在所述ASIC芯片(10)芯片外围的模式控制电路(40)；

当所述功率优化器的输出电压值高于所述ASIC芯片(10)内部基准工作电压值时，所述模式控制电路的低电压保护二极管将处于截至状态，所述ASIC芯片(10)的所述MODE管脚的电压由所述ASIC芯片(10)的VDD引脚提供，其值为所述ASIC芯片(10)内部基准工作电压值；

当所述功率优化器的输出电压值低于所述ASIC芯片(10)内部基准工作电压值时，所述模式控制电路的低电压保护二极管将处于导通状态，所述功率优化器的输出电压值由所述模式控制电路引入所述ASIC芯片(10)的所述MODE管脚，其值为所述功率优化器的输出电压值与所述低电压保护二极管压降之和。