[发明专利]一种带连续衰减功能的低功耗放大器

权利要求书

1.一种带连续衰减功能的低功耗放大器，其特征在于，包括电流复用负反馈网络、有源衰减网络、共源共栅网络以及负压兼控正负压网络；

所述电流复用负反馈网络的第一输入端作为所述低功耗放大器芯片的射频输入端，所述电流复用负反馈网络的第一输出端与所述有源衰减网络的第一输入端连接，所述有源衰减网络的输出端与所述共源共栅网络的第一输入端连接，所述共源共栅网络的输出端作为所述低功耗放大器芯片的射频输出端；

所述负压兼控正负压网络的第一输出端与电流复用负反馈网络的第二输入端连接，所述负压兼控正负压网络的第二输出端与有源衰减网络的第二输入端连接，所述负压兼控正负压网络的第三输出端与共源共栅网络的第二输入端连接；

所述电流复用负反馈网络包括电容C1；

所述电容C1的一端作为所述电流复用负反馈网络的第一输入端，所述电容C1另一端分别与电阻R1的一端和晶体管M1的栅极连接，所述电阻R1的另一端作为所述电流复用负反馈网络的第二输入端，所述晶体管M1的源极接地，所述晶体管M1的漏极分别与电感L1的一端和电容C3的一端连接，所述电感L1的另一端分别与晶体管M2的源极和接地电容C5连接，所述电容C3的另一端分别与电阻R2的一端和晶体管M2的栅极连接，所述晶体管M2的漏极分别与电容C2的一端、电感L2的一端以及电感L3的一端连接，所述电容C2的另一端作为所述电流复用负反馈网络的输出端，所述电感L3的另一端与电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端分别与电阻R2的另一端和电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与接地电阻R5和电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端分别与电感L2的另一端和电源VD连接。

2.根据权利要求1所述的带连续衰减功能的低功耗放大器，其特征在于，所述有源衰减网络包括电阻R19；

所述电阻R19的一端作为所述有源衰减网络的第一输入端，并分别与接地电阻R9和晶体管M3的源极连接，所述电阻R19的另一端作为所述有源衰减网络的输出端，并分别与接地电阻R10和晶体管M3的漏极连接，所述晶体管M3的栅极与电阻R11的一端连接，所述电阻R11的另一端分别与接地电阻R21和电阻R20的一端连接，所述电阻R20的另一端作为所述有源衰减网络的第二输入端。

3.根据权利要求1所述的带连续衰减功能的低功耗放大器，其特征在于，所述共源共栅网络包括电容C9；

所述电容C9的一端作为所述共源共栅网络的第一输入端，所述电容C9的另一端分别与电阻R15的一端和晶体管M5的栅极连接，所述电阻R15的另一端作为所述共源共栅网络的第二输入端，所述晶体管M5的源极接地，所述晶体管M5的漏极与晶体管M4的源极连接，所述晶体管M4的栅极分别与接地电容C13和电阻R16的一端连接，所述电阻R16的另一端分别与接地电阻R17和电阻R18的一端连接，所述电阻R18的另一端与电源VD连接，所述晶体管M4的漏极分别与电容C10的一端和电感L4的一端连接，所述电感L4的另一端分别与接地电容C12和电源VD连接，所述电容C10的另一端与接地电容C11连接，并作为所述共源共栅网络的输出端。

4.根据权利要求1所述的带连续衰减功能的低功耗放大器，其特征在于，所述负压兼控正负压网络包括晶体管M6和晶体管M7；

所述晶体管M6的源极与电阻R6的一端连接，所述电阻R6的另一端作为所述负压兼控正负压网络的第二输出端与控制电压Vcon连接，并通过电阻R12与晶体管M7的源极连接，所述晶体管M6的栅极分别与接地电容C7和电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端作为所述负压兼控正负压网络的第一输出端，并分别与晶体管M6的漏极和电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端分别与接地电容C6和电源VD连接；

所述晶体管M7的栅极分别与接地电容C8和电阻R13的一端连接，所述电阻R13的另一端作为所述负压兼控正负压网络的第三输出端，并分别与晶体管M7的漏极和电阻R14的一端连接，所述电阻R14的另一端与电源VD连接。