[发明专利]一种滚插齿刀涂层工艺

权利要求书

1.一种滚插齿刀涂层工艺，其特征在于，具有以下步骤：

步骤一，基体前处理，用无水乙醇对试片基体超声波清洗，冷风吹干；

步骤二，装炉抽真空，先粗抽后细抽，直至真空；

步骤三，加热，开加热器加热至温度450℃～550℃；

步骤四，灯丝清洗，通入氩气，保持真空度，打开灯丝电源，进行清洗；

步骤五，镀结合层，通入氮气，保持真空度，打开靶材，设置弧电流以及偏压；

步骤六，镀功能层，通入氮气，保持真空度，交替沉积CrAlBN层和CrAlSiWN 层；

所述CrAlBN层各元素占比如下：Cr 10%～20%, AL 20%～30%，B 5～10%，N 40%～65%；

所述CrAlSiWN 层各元素占比如下：Cr 5%～20%, AL 10%～20%，Si 2～5%，W 2%～5%，N50%～81%；

步骤七，随炉冷却，关闭加热器，冷却后，破空将涂层后的试片基体取出。

2.根据权利要求1所述的一种滚插齿刀涂层工艺，其特征在于：步骤一中，所述试片基体为20mm*5mm的高速钢，采用#400、#800、#1200、#1600、#2000的砂纸磨基体表面，然后采用晶粒度为2.5μm的金刚石抛光膏将基体表面磨抛达到镜面。

3.根据权利要求1所述的一种滚插齿刀涂层工艺，其特征在于：步骤一中，使用无水乙醇超声波清洗的时间为30min。

4.根据权利要求1所述的一种滚插齿刀涂层工艺，其特征在于：步骤二中，使用机械泵、粗抽阀对镀膜腔进行粗抽，同时打开分子泵进行加速，关闭插板阀；真空度到2.9Pa时，打开前级阀和插板阀进行细抽。

5.根据权利要求1所述的一种滚插齿刀涂层工艺，其特征在于：步骤二中，所述真空的真空度为2*10^-2Pa～7*10^-2Pa。

6.根据权利要求1所述的一种滚插齿刀涂层工艺，其特征在于：步骤四中，所述氩气流量为60～100sccm，真空度为3*10^-2Pa～5*10^-2Pa，灯丝电源偏压在50～900V，逐渐递增或分阶梯递增，清洗为30min。

7.根据权利要求1所述的一种滚插齿刀涂层工艺，其特征在于：步骤五中，所述氮气流量为60～100sccm，真空度为3*10^-2Pa～5*10^-2Pa，所述靶材为Cr或Ti中的一种，所述弧电流为60A～100A，所述偏压为500V～800V。

8.根据权利要求1所述的一种滚插齿刀涂层工艺，其特征在于：步骤五中，所述镀结合层的厚度为30～50nm。

9.根据权利要求1所述的一种滚插齿刀涂层工艺，其特征在于，步骤六中，所述镀功能层包括以下步骤：安装CrAlB靶材，CrAlSiW靶材，所述氮气流量为100～300sccm，将真空度稳定在2.5～4Pa，工件架转速频率设定为1～2hz ，同时开启所有蒸发源，电流控制在120～180A，多层膜中彼此交替沉积，CrAlBN纳米层厚度与CrAlSiWN纳米层厚度总和≤100nm，最佳10～30nm， CrAlBN纳米层厚度与CrAlSiWN纳米层厚度之比不大于2。

10.根据权利要求1所述的一种滚插齿刀涂层工艺，其特征在于，步骤六中，所述镀功能层包括以下步骤：安装CrAlB靶材，CrAlSiW靶材，所述氮气流量为100～300sccm，将真空度稳定在2.5～4Pa，工件架转速频率设定为1～2hz ，先开启CrAlB蒸发源，随后关掉CrAlB蒸发源开启CrAlSiW蒸发源，交替沉积5～15次，多层膜中彼此交替沉积CrAlBN纳米层厚度与CrAlSiWN纳米层厚度总和≤100nm，CrAlBN纳米层厚度与CrAlSiWN纳米层厚度之比不大于2。