[发明专利]像素结构及显示面板有效

专利信息
申请号: 202211670397.6 申请日: 2022-12-23
公开(公告)号: CN115867087B 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: 蒲洋;康报虹 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: H10K59/50 分类号: H10K59/50;H10K59/12
代理公司: 深圳市联鼎知识产权代理有限公司 44232 代理人: 金云嵋
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种像素结构,包括有机发光元件、数据端、电源正极端和电源负极端,所述有机发光元件的阴极与所述电源负极端连接,其特征在于,所述像素结构还包括:

电流补偿端和电泳驱动端;

像素驱动模块,与所述数据端、所述电源正极端及所述有机发光元件的阳极连接;

电流补偿模块,与所述数据端、所述电流补偿端及所述阳极连接;

电泳驱动模块,包括电泳驱动电容和电泳开关单元,所述电泳驱动电容包括第一极和第二极以及位于两者之间的电泳粒子,所述电泳粒子位于所述有机发光元件的出光侧,所述第一极与所述数据端连接,所述第二极与所述电源负极端连接,所述电泳开关单元与所述数据端、所述电泳驱动端及所述第一极连接;其中,在所述数据端接收高亮度数据电压时:所述像素驱动模块控制所述电源正极端与所述阳极之间导通,所述电流补偿模块控制所述电流补偿端与所述阳极之间断开,所述电泳开关单元控制所述电泳驱动端与所述第一极之间断开,且所述第一极与所述第二极之间形成第一电场,所述电泳粒子在所述第一电场的作用下聚集在所述像素结构的非开口区;

在所述数据端接收低亮度数据电压时:所述像素驱动模块控制所述电源正极端与所述阳极之间导通,所述电流补偿模块控制所述电流补偿端与所述阳极之间导通,所述电泳开关单元控制所述电泳驱动端与所述第一极之间导通,且所述第一极与所述第二极之间形成第二电场,所述电泳粒子在所述第二电场的作用下分散在所述像素结构的开口区。

2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素驱动模块包括驱动晶体管、存储电容及第一开关晶体管;

所述驱动晶体管的第一端与所述电源正极端连接,所述驱动晶体管的第二端与所述阳极连接;

所述存储电容的第一端与所述电源正极端连接,所述存储电容的第二端与所述驱动晶体管的控制端连接;

所述第一开关晶体管的第一端与所述数据端连接,所述第一开关晶体管的第二端与所述驱动晶体管的控制端连接,所述第一开关晶体管的控制端与第一扫描信号端连接。

3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述电流补偿模块包括电流补偿晶体管,所述电流补偿晶体管的第一端与所述电流补偿端连接,所述电流补偿晶体管的第二端与所述有机发光元件的阳极连接,所述电流补偿晶体管的控制端与所述数据端连接;

所述电泳开关单元包括电泳驱动晶体管,所述电泳驱动晶体管的第一端与所述电泳驱动端连接,所述电泳驱动晶体管的第二端与所述第一极连接,所述电泳驱动晶体管的控制端与所述数据端连接。

4.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述电流补偿晶体管和所述电泳驱动晶体管均为弱P型晶体管,所述驱动晶体管为强N型晶体管。

5.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述电流补偿模块包括第二开关晶体管,所述第二开关晶体管的第一端与所述电流补偿晶体管的第二端连接,所述第二开关晶体管的第二端与所述有机发光元件的阳极连接,所述第二开关晶体管的控制端与第二扫描信号端连接;

所述电泳开关单元包括第三开关晶体管,所述第三开关晶体管的第一端与所述电泳驱动晶体管的第二端连接,所述第三开关晶体管的第二端与所述第一极连接,所述第三开关晶体管的控制端与第三扫描信号端连接。

6.根据权利要求5所述的像素结构,其特征在于,第一、第二、第三开关晶体管为同种类型,且所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管和所述第三开关晶体管的控制端与同一扫描信号端连接。

7.一种显示面板,包括衬底基板及多个如权利要求1所述的像素结构,多个所述像素结构阵列排布在所述衬底基板上。

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