[发明专利]晶体阵列探测器和发射成像设备

权利要求书

1.一种晶体阵列探测器，其特征在于，包括：

晶体阵列，所述晶体阵列包括复合晶体层，所述复合晶体层包括在横向平面内密贴排列的第一类型的多个第一闪烁晶体和第二类型的多个第二闪烁晶体，所述多个第一闪烁晶体分散在所述多个第二闪烁晶体中，所述多个第一闪烁晶体中的每个具有第一闪烁光衰减时间，所述多个第二闪烁晶体中的每个具有不同于所述第一闪烁光衰减时间的第二闪烁光衰减时间，所述多个第一闪烁晶体和所述多个第二闪烁晶体中的每个的侧面都覆盖有朝向对应的闪烁晶体的内部反光的层内反光层，沿垂直于所述横向平面的纵向方向，所述晶体阵列具有相对的入射面和出射面；

阵列反光层，所述阵列反光层覆盖在所述入射面上且朝向所述晶体阵列的内部反光；以及

光传感器层，所述光传感器层光耦合至所述出射面。

2.如权利要求1所述的晶体阵列探测器，其特征在于，沿着所述横向平面内的第一横向方向，所述多个第一闪烁晶体和所述多个第二闪烁晶体中的至少一部分交替排列。

3.如权利要求2所述的晶体阵列探测器，其特征在于，沿着所述第一横向方向，所述多个第一闪烁晶体和所述多个第二闪烁晶体完全交替排列。

4.如权利要求2所述的晶体阵列探测器，其特征在于，沿着所述横向平面内的第二横向方向，所述多个第一闪烁晶体和所述多个第二闪烁晶体中的至少一部分交替排列，其中所述第二横向方向与所述第一横向方向之间具有夹角。

5.如权利要求4所述的晶体阵列探测器，其特征在于，所述夹角为90度。

6.如权利要求4所述的晶体阵列探测器，其特征在于，所述多个第一闪烁晶体和所述多个第二闪烁晶体沿着所述第一横向方向和所述第二横向方向均完全交替排列。

7.如权利要求1所述的晶体阵列探测器，其特征在于，所述晶体阵列包括多个所述复合晶体层，其中，相邻的复合晶体层中的第一闪烁晶体错开设置；和/或相邻的复合晶体层中的第二闪烁晶体错开设置。

8.如权利要求1所述的晶体阵列探测器，其特征在于，所述复合晶体层中还包括第三类型的多个第三闪烁晶体，所述多个第三闪烁晶体分散在所述多个第一闪烁晶体和所述多个第二闪烁晶体中且与相邻的闪烁晶体密贴，所述多个第三闪烁晶体中的每个都具有不同于所述第一闪烁光衰减时间和所述第二闪烁光衰减时间的第三闪烁光衰减时间。

9.如权利要求8所述的晶体阵列探测器，其特征在于，在所述复合晶体层中，每种类型的闪烁晶体的顶角都邻接不同类型的闪烁晶体。

10.如权利要求1-7中任一项所述的晶体阵列探测器，其特征在于，在所述复合晶体层中，每种类型的闪烁晶体的侧面都邻接不同类型的闪烁晶体。

11.如权利要求1-9中任一项所述的晶体阵列探测器，其特征在于，所述晶体阵列为多个且沿着所述纵向方向依次设置，每个晶体阵列都具有对应的阵列反光层和光传感器层，

相邻两个晶体阵列中的一个所对应的光传感器层与所述相邻两个晶体阵列中的另一个所对应的阵列反光层彼此相对设置。

12.一种发射成像设备，其特征在于，包括：

多个探测器，所述多个探测器合围形成检测腔体，所述检测腔体用于容纳待测对象，所述多个探测器中的至少一部分为如权利要求1-11中任一项所述的晶体阵列探测器，所述晶体阵列探测器的所述晶体阵列的入射面朝向所述检测腔体；以及

处理器，所述处理器用于根据所述光传感器层采集的光电信号确定混合能量沉积事件，其中，所述光电信号基于所述第一闪烁光衰减时间和所述第二闪烁光衰减时间生成，所述混合能量沉积事件为在不同类型的闪烁晶体内都发生能量沉积的事件。