[发明专利]一种磁阻传感器在审

专利信息
申请号: 202211626165.0 申请日: 2022-12-15
公开(公告)号: CN115980639A 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 郭海平;陶刚;黄贤峰;沈卫锋;薛松生 申请(专利权)人: 江苏多维科技有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 方晓燕
地址: 215634 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁阻 传感器
【权利要求书】:

1.一种磁阻传感器,其特征在于,该磁阻传感器包括:若干磁阻单元以及若干电压矫正电阻;所述若干磁阻单元和所述若干电压矫正电阻构成磁场检测电路;其中,所述若干电压矫正电阻连接在所述磁场检测电路中,用于抬升所述磁阻传感器的信号输出端的输出电压;所述信号输出端,用于输出反映磁阻传感器所处位置磁场强度H的电压信号Vout;所述电压矫正电阻包括若干子磁阻单元。

2.如权利要求1所述的磁阻传感器,其特征在于,所述磁场检测电路至少包括:一个磁阻单元和若干个电压矫正电阻构成的矫正电阻网络,所述磁阻单元的一端作为磁阻传感器的信号输出端、并通过所述矫正电阻网络接地;所述矫正电阻网络的整体电阻值不受磁场强度H影响。

3.如权利要求1所述的磁阻传感器,其特征在于,所述磁场检测电路至少包括:一个磁阻单元和若干个电压矫正电阻构成的矫正电阻网络;所述磁阻单元的一端通过所述矫正电阻网络接地;所述磁阻单元的两端分别作为磁阻传感器的两个信号输出端,所述两个信号输出端输出电压的差值,用于反映磁阻传感器所处位置磁场强度H的电压信号Vout;所述矫正电阻网络的整体电阻值,不受磁场强度H影响、或随着磁场强度H而变化。

4.如权利要求1所述的磁阻传感器,其特征在于,所述磁场检测电路为全桥电路,每个桥臂包括一个或多个所述磁阻单元;所述全桥电路的第一、第三、第二、第四桥臂依次串接成闭环,从第一桥臂和第四桥臂的连接点引出所述磁阻传感器的第一信号输出端,从第二桥臂和第三桥臂的连接点引出所述磁阻传感器的第二信号输出端;所述第一、二桥臂的磁灵敏方向为第一方向,第三、四桥臂的磁灵敏方向为第二方向,所述第一方向与第二方向不同;第一桥臂和第三桥臂的连接点接外接电源,第二桥臂和第四桥臂的连接点通过由一个或多个所述矫正电阻组成第一矫正电阻网络接地,和/或所述第二桥臂、第四桥臂中各串接由一个或多个所述矫正电阻构成、磁阻特性相同的第二矫正电阻网络。

5.如权利要求4所述的磁阻传感器,其特征在于,所述第一矫正电阻网络、所述第二矫正电阻网络,为仅有1个所述矫正电阻的电阻支路,或者由多个所述电压矫正电阻串联、并联或串并联构成的电阻网络。

6.如权利要求1-5中任一项所述的磁阻传感器,其特征在于,所述电压矫正电阻的电阻值受磁场强度H影响,或所述电压矫正电阻为电阻值不受磁场强度H影响。

7.如权利要求6所述的磁阻传感器,其特征在于,所有子磁阻单元和所有磁阻单元的制作材料和制作工艺至少存在相同的部分。

8.如权利要求6所述的磁阻传感器,其特征在于,所述磁阻单元、所述子磁阻单元为包括TMR、AMR、GMR、CMR、SMR在内的XMR。

9.如权利要求8所述的磁阻传感器,其特征在于,所述子磁阻单元和磁阻单元均采用Vortex结构。

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