[发明专利]磁控溅射镀膜装置及磁控溅射镀膜方法

权利要求书

1.一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，包括：

螺线管(1)，用于产生磁场；

真空腔室(2)，所述真空腔室(2)旋转设置且至少部分位于所述螺线管(1)内；

真空发生器(3)，用于调整所述真空腔室(2)的真空度；

多个支撑件(4)，所述支撑件(4)设置在所述真空腔室(2)上，用于支撑工件(20)，且每个所述支撑件(4)绕自身中轴线旋转设置；

溅镀靶(5)，设置在所述真空腔室(2)内，用于提供靶材；以及

气体注入件(6)，用于向所述真空腔室(2)内注入气体，以清理所述工件(20)的表面及轰击所述靶材将靶材原子溅射到所述工件(20)的表面。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述溅镀靶(5)包括第一靶(51)和第二靶(52)，所述第一靶(51)和所述第二靶(52)用于提供两种材质不同的靶材。

3.根据权利要求2所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述真空腔室(2)设置在一支撑台(7)上，所述支撑台(7)连接有驱动件，所述驱动件用于带动所述支撑台(7)绕所述螺线管(1)的中轴线旋转。

4.根据权利要求3所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述支撑台(7)底部设置有射频电源(8)，多个所述支撑件(4)分别与所述射频电源(8)相连接，所述射频电源(8)用以使每个所述支撑件(4)产生吸附固定所述工件(20)的静电场。

5.根据权利要求3所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述真空腔室(2)具有与所述支撑台(7)相对的盖体(9)，所述气体注入件(6)和所述真空发生器(3)设置在所述盖体(9)上，且所述第一靶(51)和所述第二靶(52)穿过所述盖体(9)伸入至所述真空腔室(2)内。

6.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，多个所述支撑件(4)的中心设置在同一圆周上。

7.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，多个所述支撑件(4)的外缘与所述真空腔室(2)的内壁之间具有环形空间(10)，所述环形空间(10)内设置有反射挡板(11)，所述反射挡板(11)用于阻挡所述靶材原子以形成平面溅射区。

8.一种磁控溅射镀膜方法，其特征在于，应用于如权利要求1至7任一项所述的磁控溅射镀膜装置，包括如下步骤：

放置工件(20)于支撑件(4)上；

通过气体注入件(6)向真空腔室(2)内注入气体，以清理工件(20)的表面；

通过真空发生器(3)和气体注入件(6)调整真空腔室(2)的真空度；

调整螺线管(1)以产生磁场；以及

为溅镀靶(5)供电，并旋转真空腔室(2)及支撑件(4)以将靶材原子溅射到工件(20)的表面以实现镀膜。

9.根据权利要求8所述的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，在调整真空腔室(2)的真空度步骤中，包括步骤：

通过真空发生器(3)将真空腔室(2)内真空度抽至0.1Pa～0.56Pa；以及

通过真空发生器(3)抽真空同时通过气体注入件(6)向真空腔室(2)内注入气体，以将真空腔室(2)内真空度调整至0.6Pa～4Pa。

10.根据权利要求8所述的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，在实现镀膜步骤中，包括步骤：

通过第一靶(51)和第二靶(52)发射不同材质的靶材，并通过旋转真空腔室(2)和支撑件(4)使工件(20)从第一靶(51)和第二靶(52)前方旋转通过。