[发明专利]γ能注量谱的修正方法、存储介质、修正装置及修正系统

说明书

本申请实施例提供一种γ能注量谱的修正方法、存储介质、修正装置及修正系统，所述γ能注量谱的修正方法包括：基于探测器的参数模型、屏蔽结构的参数模型以及照射束的中子源参数进行蒙特卡洛模拟，获取中子诱导的次级γ射线的模拟脉冲幅度谱；获取总的γ射线脉冲幅度谱，所述的总的γ射线脉冲幅度谱由探测器对经屏蔽结构的照射束进行测量取得；根据次级γ射线的模拟脉冲幅度谱，对总的γ射线脉冲幅度谱进行修正，得到初级γ射线脉冲幅度谱；对初级γ射线脉冲幅度谱解谱得到γ能注量谱。本申请实施例的γ能注量谱的修正方法，能够提高探测器测量结果的准确性。

技术领域

本申请涉及辐射束的测量技术领域，尤其涉及一种γ能注量谱的修正方法、存储介质、修正装置及修正系统。

背景技术

硼中子俘获治疗(BNCT)是一种二元靶向放射疗法，利用低能中子作为照射束，为了确定照射束的初级γ射线能谱，需要利用探测器对照射束进行测量，为避免高强度中子和γ射线对探测器引起的辐射损伤以及测量系统的过饱和效应，在照射束和探测器之间设置屏蔽结构以降低辐射强度。

由于屏蔽结构的存在，不可避免会造成中子诱导次级γ射线的产生，且中子强度较γ射线高约两个量级，次级γ射线份额很大，会较大程度上影响测量结果的准确性。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例期望提供一种γ能注量谱的修正方法、存储介质、修正装置及修正系统，能够提高探测器测量结果的准确性。

为达到上述目的，本申请实施例提供一种γ能注量谱的修正方法，所述γ能注量谱的修正方法包括：

基于探测器的参数模型、屏蔽结构的参数模型以及照射束的中子源参数进行蒙特卡洛模拟，获取中子诱导的次级γ射线的模拟脉冲幅度谱；

获取总的γ射线脉冲幅度谱，所述的总的γ射线脉冲幅度谱由探测器对经屏蔽结构的照射束进行测量取得；

根据次级γ射线的模拟脉冲幅度谱，对总的γ射线脉冲幅度谱进行修正，得到初级γ射线脉冲幅度谱；

对初级γ射线脉冲幅度谱解谱得到γ能注量谱。

一些实施例中，所述的探测器的参数模型包括尺寸参数模型和死层参数模型。

一些实施例中，死层参数模型的构建方法包括：

获取参考辐射场的脉冲幅度谱，所述的参考辐射场的脉冲幅度谱由探测器在参考辐射场中测量取得；

获取探测器的尺寸参数模型以及探测器的预设死层参数模型；

基于探测器的尺寸参数模型、探测器的预设死层参数，以及参考辐射场的辐射源参数进行蒙特卡洛模拟，获得参考辐射场的模拟脉冲幅度谱；

根据参考辐射场的脉冲幅度谱以及参考辐射场的模拟脉冲幅度谱，对探测器的预设死层参数模型进行修正，将修正后的预设死层参数模型作为所述死层参数模型。

一些实施例中，所述的根据参考辐射场的脉冲幅度谱以及参考辐射场的模拟脉冲幅度谱，对探测器的预设死层参数模型进行修正，将修正后的预设死层参数模型作为所述死层参数模型的步骤包括：

根据参考辐射场的脉冲幅度谱计算获得探测器效率值；

根据参考辐射场的模拟脉冲幅度谱计算获得探测器模拟效率值；

对预设的探测器的死层参数进行调节，使参考辐射场的模拟脉冲幅度谱变化，探测器模拟效率值跟随变化，直至探测器模拟效率值与探测器效率值偏差小于预设条件；

获取调节后的探测器的死层参数作为所述死层参数模型。

一些实施例中，所述的参考辐射场的辐射源参数包括能量范围在0.1MeV～11MeV之间的γ源。