[发明专利]建模方法、装置、计算机可读存储介质以及处理器在审

专利信息
申请号: 202211573477.X 申请日: 2022-12-08
公开(公告)号: CN115831240A 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 何广剑;韦亚一;范泰安;薛静 申请(专利权)人: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
主分类号: G16C10/00 分类号: G16C10/00;G16C20/10
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 王晓玲
地址: 510535 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 建模 方法 装置 计算机 可读 存储 介质 以及 处理器
【权利要求书】:

1.一种建模方法,其特征在于,包括:

根据光酸发生剂的浓度和泊松生成器,确定酸分子的初始数量,根据碱淬灭剂的浓度和所述泊松生成器,确定碱分子的初始数量,根据聚合物树脂的浓度和所述泊松生成器,确定所述聚合物树脂中保护基团的初始数量,所述光酸发生剂、所述碱淬灭剂以及所述聚合物树脂构成光刻胶,所述酸分子为所述光酸发生剂在所述光刻胶曝光后转换得到的,所述泊松生成器用于根据输入的与所述酸发生剂的浓度相关的第一预定参数生成所述酸分子的初始数量、根据输入的与所述碱淬灭剂的浓度相关的第二预定参数生成所述碱分子的初始数量以及根据输入的与所述聚合物树脂的浓度相关的第三预定参数生成所述保护基团的初始数量;

确定步骤,根据当前时刻所述保护基团的分子数量,确定下一时刻所述保护基团的分子数量,根据当前时刻所述酸分子的数量,确定下一时刻所述酸分子的数量,根据当前时刻所述碱分子的数量,确定下一时刻所述碱分子的数量,在第一次确定步骤中,所述当前时刻为光刻胶烘烤过程的开始时刻,所述当前时刻的保护基团的分子数量为所述保护基团的初始数量,所述当前时刻的所述酸分子的数量为所述酸分子的初始数量,所述当前时刻的所述碱分子的数量为所述碱分子的初始数量;

重复所述确定步骤多次,直到当前次的下一时刻为所述光刻胶烘烤的结束时刻,其中,在每次重复的过程中,将上次的所述确定步骤中的下一时刻的所述保护基团的分子数量更新为当前次的当前时刻的保护基团的分子数量,将上次的所述确定步骤中的下一时刻的所述酸分子的数量更新为当前次的当前时刻的酸分子的数量,将上次的所述确定步骤中的下一时刻的所述碱分子的数量更新为当前次的当前时刻的碱分子的数量。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

根据光酸发生剂的浓度和泊松生成器,确定酸分子的初始数量,包括:根据所述光酸发生剂的浓度,确定单位体积的光酸发生剂的平均分子数量,根据所述光酸发生剂的平均分子数量,确定所述酸分子的平均分子数量,根据所述酸分子的平均分子数量以及所述泊松生成器,确定所述酸分子的初始数量,

根据碱淬灭剂的浓度和所述泊松生成器,确定碱分子的初始数量,包括:根据所述碱淬灭剂的浓度,确定单位体积的所述碱分子的平均分子数量,根据所述碱分子的平均分子数量以及所述泊松生成器,确定所述碱分子的初始数量,

根据保护基团的浓度和所述泊松生成器,确定所述保护基团的初始数量,包括:根据所述聚合物树脂的浓度,确定单位体积的所述保护基团的平均分子数量,根据所述保护基团的平均分子数量以及所述泊松生成器,确定所述保护基团的初始数量。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,

根据所述聚合物树脂的浓度,确定单位体积的所述保护基团的平均分子数量,包括:根据公式<nM>=cM×NA×V,确定单位体积的所述保护基团的平均分子数量,其中,<nM>为所述单位体积的所述保护基团的平均分子数量,cM为所述聚合物树脂的浓度,NA为阿伏伽德罗常数,V为所述单位体积;

根据所述光酸发生剂的浓度,确定单位体积的所述光酸发生剂的平均分子数量,包括:

根据公式<np>=cp×NA×V,确定单位体积的所述光酸发生剂的平均分子数量,其中,<np>为所述单位体积的所述光酸发生剂的平均分子数量,cp为所述光酸发生剂的浓度;根据所述碱淬灭剂的浓度,确定单位体积的所述碱分子的平均分子数量,包括:根据公式<nQ>=cQ×NA×V,确定单位体积的所述碱分子的平均分子数量,其中,<nQ>为所述单位体积的所述碱分子的平均分子数量,cQ为所述碱淬灭剂的浓度。

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