[发明专利]一种太赫兹可重构超表面

权利要求书

1.一种太赫兹可重构超表面，其特征在于，超表面采用双层设计，上层为金属贴片，下层为介质基板，介质基板为整块设计，32块正方形金属贴片等间距均匀附着于介质基板上，形成32个单元结构阵列；每个单元结构中金属贴片以居中方式贴附于介质基板上，在金属贴片上沿Y轴方向依次居中蚀刻5个相连的内陷矩形结构图案，内陷矩形结构图案为中心对称结构，将金属贴片沿Y轴方向截断为对称的两部分，并将居中的矩形结构中心位置放置金属连接片，连接金属贴片的上下两部分，当单元结构上不存在金属连接贴片时，工作在’0’状态，当金属连接贴片存在时，工作在’1’状态。

2.如权利要求1所述的太赫兹可重构超表面，其特征在于，用肖特基二极管替换金属连接片，连接金属贴片的上下两部分，肖特基二极管导通状态下，单元结构工作在’0’状态，肖特基二极管断开状态下，单元结构工作在’1’状态。

3.如权利要求2所述的太赫兹可重构超表面，其特征在于，每个单元结构中介质基板尺寸为340um×340um×50um，金属贴片以居中方式贴附于介质基板上，金属贴片外沿尺寸为275um×275um，5个相连的内陷矩形结构的长宽尺寸依次为：40um×10um、70um×38um、55um×10um、70um×38um、40um×10um，并于居中矩形结构中心位置放置肖特基二极管，宽度13um。

4.如权利要求1或2或3所述的太赫兹可重构超表面，其特征在于，所述金属贴片材料为Cu_。

5.如权利要求4所述的太赫兹可重构超表面，其特征在于，介质基板材料为GaAs。

6.一种利用权利要求1至5中任一项所述太赫兹可重构超表面进行反射波束调控方法，其特征在于，该方法包括：

构建太赫兹可重构超表面，在太赫兹可重构超表面每个单元上嵌入肖特基二极管；对太赫兹可重构超表面每个单元嵌入的肖特基二极管施加不同偏压条件，使得太赫兹可重构超表面每个单元具备1bit相位反射调相能力；对太赫兹可重构超表面不同位置的单元施加特定的偏压条件，通过肖特基二极管导通或断开，则可使太赫兹可重构超表面反射波具备不同相位叠加态，即反射波束指向得到了调控。

7.如权利要求6所述的反射波束调控方法，其特征在于，构建太赫兹可重构超表面的方法如下：

超表面采用双层设计，上层为金属贴片，下层为介质基板，介质基板为整块设计，32块正方形金属贴片等间距均匀附着于介质基板上，形成32个单元结构阵列；每个单元结构中金属贴片以居中方式贴附于介质基板上，在金属贴片上沿Y轴方向依次居中蚀刻5个相连的内陷矩形结构图案，内陷矩形结构图案为中心对称结构，将金属贴片沿Y轴方向截断为对称的两部分，并将居中的矩形结构中心位置放置金属连接片，连接金属贴片的上下两部分。

8.如权利要求7所述的反射波束调控方法，其特征在于，每个单元结构中介质基板尺寸为340um×340um×50um，金属贴片以居中方式贴附于介质基板上，金属贴片外沿尺寸为275um×275um，5个相连的内陷矩形结构的长宽尺寸依次为：40um×10um、70um×38um、55um×10um、70um×38um、40um×10um，并于居中矩形结构中心位置放置肖特基二极管，宽度13um。

9.如权利要求8所述的反射波束调控方法，其特征在于，在太赫兹可重构超表面每个单元上嵌入肖特基二极管是用肖特基二极管替换金属连接片，连接金属贴片的上下两部分，肖特基二极管导通状态下，单元结构工作在’0’状态，肖特基二极管断开状态下，单元结构工作在’1’状态。

10.如权利要求8所述的反射波束调控方法，其特征在于，所述金属贴片材料为Cu，介质基板材料为GaAs。