[发明专利]带有平面校准线圈的Z磁场传感器在审

专利信息
申请号: 202211496410.0 申请日: 2022-11-24
公开(公告)号: CN116165581A 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: U·奥塞勒克纳 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01R33/00;G01R33/07
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李兴斌;闫昊
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 带有 平面 校准 线圈 磁场 传感器
【权利要求书】:

1.一种传感器芯片(100),具有

至少两个垂直于芯片层面测量的磁场传感器(101、102),所述磁场传感器彼此相邻地布置在所述传感器芯片(100)上,

其中在所述磁场传感器(101、102)中的至少一个磁场传感器(101)上布置有平面绕组(130),所述平面绕组被设计为产生垂直于所述芯片层面定向的磁场(120、121),以及

控制器(140),所述控制器被设计为在校准模式中操作所述磁场传感器(101、102),在所述校准模式中输入信号被施加在所述平面绕组(130)处以产生所述磁场(120、121),以及

从两个磁场传感器(101、102)确定各一个对所产生的所述磁场(120、121)的响应信号(S1、S2),

并且为了校准所述磁场传感器(101、102)的目的执行差分测量,其中一个磁场传感器(101、102)的响应信号减去各另一个磁场传感器(101、102)的响应信号。

2.根据权利要求1所述的传感器芯片(100),

其中所述平面绕组(130)布置在所述磁场传感器(101、102)的与所述传感器芯片(100)相对的表面(115)上。

3.根据权利要求1或2所述的传感器芯片(100),

其中所述平面绕组(130)具有多匝(131、132、133、134),并且

其中在芯片层面的俯视图中看,所述平面绕组(130)的至少90%的匝(131、132、133、134)布置在所述磁场传感器(101、102)的外轮廓之内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的传感器芯片(100),

其中所述平面绕组(130)的至少最外匝(131)平行于所述磁场传感器(101、102)的所述外轮廓延伸,并且因此具有与所述磁场传感器(101、102)的所述外轮廓大致相同的几何形状。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器芯片(100),

其中所述平面绕组(130)处于地电位。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的传感器芯片(100),

其中在两个磁场传感器(101、102)上布置有各一个平面绕组(130、330)。

7.根据权利要求6所述的传感器芯片(100),

其中所述控制器(140)还被设计为操作两个相邻的磁场传感器(101、102)的所述平面绕组(130、131),使得所述平面绕组产生定向相反的磁场(120、122)。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的传感器芯片(100),

其中所述平面绕组(130)设计为螺旋形并且具有带有两个螺旋线圈(210、220)的螺旋线圈对(230),

其中所述两个螺旋线圈(210、220)中的各一个螺旋线圈从外向内缠绕,并且所述两个螺旋线圈(210、220)中的各另一个螺旋线圈从内向外缠绕,并且

其中所述两个螺旋线圈(210、220)各自具有相同的旋转方向。

9.根据权利要求8所述的传感器芯片(100),

其中向内缠绕的螺旋线圈(210)和向外缠绕的螺旋线圈(220)相互电连接并串联互连。

10.根据权利要求8或9所述的传感器芯片(100),

其中所述螺旋线圈对(230)的所述两个螺旋线圈(210、220)中的至少一个螺旋线圈具有至少四匝(131、132、133、134)。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的传感器芯片(100),

其中以微结构化技术在各自不同的金属化层(M1、M2、M3、M4、M5)中产生所述螺旋线圈对(230)的所述两个螺旋线圈(210、220)。

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