[发明专利]一种互锁微结构隔离调控的离子电容式传感器在审
| 申请号: | 202211491016.8 | 申请日: | 2022-11-25 | 
| 公开(公告)号: | CN115808188A | 公开(公告)日: | 2023-03-17 | 
| 发明(设计)人: | 潘泰松;陈文翔;郭登机;高敏;林媛 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 | 
| 主分类号: | G01D5/24 | 分类号: | G01D5/24;G01L1/14;G01L9/12 | 
| 代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 | 
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 互锁 微结构 隔离 调控 离子 电容 传感器 | ||
1.一种互锁微结构隔离调控的离子电容式传感器,包括第一电极层、第二电极层及设置在第一电极层和第二电极层之间的介电层,其特征在于:
所述介电层包括自下而上依次层叠的第一弹性层、支撑层和第二弹性层,第一弹性层和第二弹性层均为离子凝胶层,离子凝胶层是以PVA和H3PO4为原料配置的复合溶液制成,其上形成有微结构。
2.根据权利要求1所述的一种互锁微结构隔离调控的离子电容式传感器,其特征在于:所述支撑层为PI双面胶带。
3.根据权利要求1或2所述的一种互锁微结构隔离调控的离子电容式传感器,其特征在于:所述支撑层厚度根据需求调节。
4.根据权利要求1所述的一种互锁微结构隔离调控的离子电容式传感器,其特征在于:该传感器采用如下步骤制备而成:
步骤1、采用磁控溅射和激光切割工艺,在PI胶带上生长并图形化以获得第一电极层和第二电极层;
步骤2、制备介电层:
步骤2.1采用激光切割工艺切将砂纸切割成所需图案得到砂纸模板,对砂纸模板进行超声清洗,干燥后,在其表面均匀的喷涂一层脱膜剂;
步骤2.2、将PDMS溶液倾倒在步骤2.1所得砂纸模板上,并使其自由流平;真空脱气后转移到烘箱中进行固化,待冷却到室温后和砂纸剥离,得到具有微结构的PDMS表面;再在具有微结构的PDMS表面上均匀的喷涂一层脱膜剂;
步骤2.3、采用溶胶凝胶法配置H3PO4/PVA复合溶液,将配置好的H3PO4/PVA复合溶液倾倒在步骤2.2所得的PDMS微结构模板上,真空脱气后,置于室温中,待其冷却并完全固化后,从PDMS微结构模板上剥离获得具有微结构的第一弹性层和第二弹性层;
步骤2.4、选用PI双面胶带作为支撑结构,将第一弹性层、支撑层和第二弹性层按顺序堆叠在一起,以获得介电层;
步骤3、将第一电极、介电层和第二电极按顺序贴合,即获得互锁微结构隔离调控的离子电容式传感器。
5.根据权利要求4所述的一种互锁微结构隔离调控的离子电容式传感器,其特征在于:所述步骤1中第一电极层和第二电极层材料为金,磁控溅射沉金的具体参数为:气压2~10帕斯卡下溅射金1~10分钟;激光切割的具体参数为:激光频率为60000Hz~10000Hz,功率因子为20%~40%,加工速度为50~100mm/s。
6.根据权利要求4所述的一种互锁微结构隔离调控的离子电容式传感器,其特征在于:所述步骤1中第一电极层和第二电极层材料为金,磁控溅射沉金的具体参数为:气压2~10帕斯卡下溅射金1~10分钟;激光切割的具体参数为:激光频率为60000Hz~10000Hz,功率因子为20%~40%,加工速度为50~100mm/s。
7.根据权利要求4所述的一种互锁微结构隔离调控的离子电容式传感器,其特征在于:所述步骤2.1中选用砂纸为400目~10000目。
8.根据权利要求4所述的一种互锁微结构隔离调控的离子电容式传感器,其特征在于:所述步骤2.3中H3PO4/PVA复合溶液是按照聚乙烯醇树脂、磷酸和去离子水的质量比为2:2:18进行配置。
9.根据权利要求8所述的一种互锁微结构隔离调控的离子电容式传感器,其特征在于:所述步骤2.3中H3PO4/PVA复合溶液的配置过程为:
将2克的重均分子量为67000~145000的PVA充粉末与18克去离子水混合,并且在95℃下搅拌,以使PVA充分溶解于水中形成水溶液;继续搅拌待PVA水溶液混合均匀后,冷却到室温,加入2毫升浓度为85%的磷酸,持续搅拌2小时使其混合均匀即可配置完毕。
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