[发明专利]一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法

权利要求书

1.一种富硒西瓜一根棍小棚栽培方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：选地、翻耕整理土地并在土地上设计栽培槽：在翻耕平整好的田块上制作呈V字形的栽培槽，栽培槽沿翻耕土地的长度方向设置；

步骤2：品种选择及定植：选择需要种植的西瓜苗，根据种植密度的要求定植在步骤1的栽培槽内，西瓜苗定植于栽培槽的底部；

步骤3：一根棍小棚搭建：具体操作如下：在步骤1的栽培槽内插入若干立柱作为支架，在立柱的顶部铺设地膜并将栽培槽和西瓜苗覆盖，地膜的两侧与栽培槽的两边缘接触并用土压紧地膜的边缘，立柱采用直径大于1cm的树枝；

步骤4：根据西瓜苗的生长时期在步骤3的地膜上开设通风孔，具体操作如下：在西瓜幼苗定植3~5天后，用锋利刀片在地膜与地面连接处的上方开设第一通孔起到降温和导流降雨进入小棚内的作用；在西瓜苗定植10天后在地膜顶部开设第二通孔以起到通风和控制棚内温度；

步骤5：撤棚落膜；

步骤6：田间管理；

步骤7：硒肥使用并得到富硒西瓜，对富硒西瓜的硒含量进行检测，富硒西瓜中硒含量的取样检测方法如下：包括以下步骤：1. 西瓜果实以果柄至花痕，横切为3等份，分别为果柄端、中间部分和花痕端，取中间部分的西瓜作为测试样品；步骤2：在中间部分的西瓜分两个位置取样，第一个位置为步骤1中的中间部分西瓜的距中心直径3cm~5cm部分瓜瓤，第二个位置为步骤1中的中间部分西瓜的距离瓜皮3cm内的果肉去除种子的瓜瓤；步骤3：每批次产品随机取样3个，总硒含量测定采用《食品安全国家标准 食品中硒的测定》（GB 5009.93-2017：氢化物原子荧光光谱法）进行总硒含量检测，取平均值。

2.根据权利要求1所述的富硒西瓜一根棍小棚栽培方法，其特征在于：所述步骤1中，栽培槽在竖直方向的深度为15cm~20cm，栽培槽顶部在水平方向的宽度为40cm~50cm，相邻两个栽培槽之间的距离为130cm~140cm，在栽培槽内集中施基肥。

3.根据权利要求1所述的富硒西瓜一根棍小棚栽培方法，其特征在于：所述步骤2中，西瓜品种选取早熟、中型果，果形指数为1.0~1.1；栽种时间选择3月下旬至4月上旬的晴天，在栽培槽底按照40cm~50cm的株距定植西瓜苗，西瓜苗达4叶1心，浇足定植水，每667㎡定植1000~1200株。

4.根据权利要求1所述的富硒西瓜一根棍小棚栽培方法，其特征在于：所述步骤3中，立柱的上部剪平、光滑不带毛刺，立柱的下部剪成马蹄形，制作成上平下尖的立柱；顺西瓜行方向，在相邻两个西瓜苗中间的位置插入立柱，立柱的底部入土深度为15~20cm。

5.根据权利要求1所述的富硒西瓜一根棍小棚栽培方法，其特征在于：所述步骤4中，第一通孔呈倒“T”字形，第二通孔为不规则的通孔，第二通孔的长度为3~5cm。

6.根据权利要求1所述的富硒西瓜一根棍小棚栽培方法，其特征在于：所述步骤5的具体操作如下：西瓜苗伸蔓后，瓜蔓长20cm时，让地膜穿透“一根棍”立柱，地膜落地，把瓜蔓从顶部的第二通孔掏出，瓜苗四周用细土压实。

7.根据权利要求1所述的富硒西瓜一根棍小棚栽培方法，其特征在于：所述步骤6的具体操作如下：西瓜留2蔓整枝，其他按照现有传统方式进行压蔓、留瓜、病虫害防治和肥水管理。

8.根据权利要求1所述的富硒西瓜一根棍小棚栽培方法，其特征在于：所述步骤7的具体操作如下：土壤基础总硒含量≤3.5mg/kg，每667 ㎡土地喷施总硒100 mg～200 mg, 兑水30 kg～35 kg，每种叶面硒肥参考上述总硒用量进行折算；喷施时间在西瓜采收前15~20天，喷施硒肥避开正午烈日，选择无风天气，在上午10:00前或下午16:00以后，用喷雾器向西瓜的叶片均匀喷施，要求雾化效果好，若喷施后8 h内遇降雨，及时补施一次，最后得到富硒西瓜。