[发明专利]非水电解质二次电池用负极、非水电解质二次电池及非水电解质二次电池用负极的制造方法在审

专利信息
申请号: 202211456461.0 申请日: 2018-05-18
公开(公告)号: CN115763806A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 高桥广太;广濑贵一;松野拓史 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01M4/62 分类号: H01M4/62;H01M4/485;H01M10/0525
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;谢顺星
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 水电 二次 电池 负极 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种非水电解质二次电池用负极,其具备负极活性物质层,该非水电解质二次电池用负极的特征在于,

所述负极活性物质层具有包含负极活性物质颗粒的非水电解质二次电池用负极活性物质,

所述负极活性物质颗粒含有包含硅化合物SiOx的硅化合物颗粒,其中,0.5≤x≤1.6,

所述硅化合物颗粒含有Li化合物,

所述硅化合物颗粒的至少一部分被碳材料所覆盖,

所述硅化合物颗粒的表面或所述碳材料的表面或该两个表面的至少一部分,被含有具备三烷基甲硅烷基的化合物的层所覆盖,所述三烷基甲硅烷基具有碳原子数为1~5的烷基,

所述硅化合物颗粒的至少一部分包含选自Li4SiO4、Li2SiO3、Li2Si2O5中的至少一种以上。

2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用负极,其特征在于,相对于所述硅化合物颗粒与所述碳材料的合计,所述碳材料的覆盖量为0.5质量%以上15质量%以下。

3.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用负极,其特征在于,所述负极活性物质颗粒的基于JIS K7194的四探针法所测定的在施加38.2MPa时的体积电阻率为0.01Ω·cm以上且小于100Ω·cm。

4.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用负极,其特征在于,所述硅化合物颗粒通过X射线衍射所获得的Si(111)结晶面引起的衍射峰的半值宽度(2θ)为1.2°以上,对应于该结晶面的微晶尺寸为7.5nm以下。

5.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用负极,其特征在于,所述硅化合物颗粒的中值粒径为0.5μm以上20μm以下。

6.一种非水电解质二次电池,其特征在于,包含权利要求1~5中任一项所述的非水电解质二次电池用负极。

7.一种电子设备,其特征在于,具备权利要求6所述的非水电解质二次电池。

8.一种电动工具,其特征在于,具备权利要求6所述的非水电解质二次电池。

9.一种电动汽车,其特征在于,具备权利要求6所述的非水电解质二次电池。

10.一种蓄电系统,其特征在于,具备权利要求6所述的非水电解质二次电池。

11.一种非水电解质二次电池用负极的制造方法,其为具备负极活性物质层的负极的制造方法,该制造方法的特征在于,通过

制作包含硅化合物SiOx的硅化合物颗粒的工序,其中0.5≤x≤1.6;

利用碳材料覆盖所述硅化合物颗粒的至少一部分的工序;

通过在所述硅化合物颗粒中吸入锂,对所述硅化合物颗粒进行改性的工序,所述硅化合物颗粒的至少一部分包含选自Li4SiO4、Li2SiO3、Li2Si2O5中的至少一种以上;及

在所述改性后的硅化合物颗粒的表面或所述碳材料的表面或该两个表面的至少一部分上形成含有具备三烷基甲硅烷基的化合物的层的工序,所述三烷基甲硅烷基具有碳原子数为1~5的烷基;

并使用形成有所述含有具备三烷基甲硅烷基的化合物的层的硅化合物颗粒作为负极活性物质颗粒,从而制备含有包含硅化合物颗粒的负极活性物质颗粒的非水电解质二次电池用负极材料,

使用所制备的所述非水电解质二次电池用负极材料,制造非水电解质二次电池用负极。

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