[发明专利]一种反激保护电路

权利要求书

1.一种反激保护电路，其特征在于，包括：原边绕组模块、副边绕组模块以及辅助绕组模块；

所述原边绕组模块包括：原边绕组Np、开关管Q1、原边控制电路I0、光敏三极管I1B和原边电流检测电阻R_CS；所述原边绕组Np的一端连接输入电压，所述原边绕组Np的另一端与所述开关管Q1的漏极连接，所述开关管Q1的源极通过所述原边电流检测电阻R_CS接地，所述开关管Q1的栅极与所述原边控制电路I0的DRV引脚连接；

所述副边绕组模块包括：副边绕组Ns、输出二极管D3、TL431、采样电阻R2、采样电阻R3以及发光二极管I1A；所述副边绕组Ns的一边接地，所述副边绕组Ns的另一边与所述输出二极管D3的阳极连接，所述输出二极管D3的阴极为输出电压，所述输出二极管D3的阴极与所述采样电阻R2和采样电阻R3组成的串联结构的一端连接，所述采样电阻R2和采样电阻R3组成的串联结构的另一端接地，所述采样电阻R2和采样电阻R3之间的采样点与所述TL431连接，所述TL431的输出通过所述发光二极管I1A和所述光敏三极管I1B组成的光耦反馈回所述原边控制电路I0的FB引脚处；FB引脚的获取的电压用于表征原边电流检测电阻R_CS的峰值电压；

所述辅助绕组模块包括：辅助绕组Na、采样电阻R4和采样电阻R5；所述辅助绕组Na的一端与所述采样电阻R4和所述采样电阻R5组成的串联结构并联；所述辅助绕组Na的另一端接地；所述采样电阻R4和所述采样电阻R5之间的采样点与所述原边控制电路I0的ZCD引脚连接；所述ZCD引脚用于获取退磁时间；

所述原边控制电路I0用于根据电压和退磁时间确定输出电流，进而根据输出电流确定的内部电压与参考值确定比较结果，根据比较结果判断是否开启输出过流保护；当开启过流保护时，停止所述开关管Q1的开关动作，使反激保护电路停止工作。

2.根据权利要求1所述的一种反激保护电路，其特征在于，所述原边绕组模块还包括：输入单元、电容C0、电容C1、电阻R7、电阻R0、二极管D2以及电容C5；

所述输入单元分别与所述电阻R7的一端、所述电容C0的一端、所述电容C1的一端、所述R0的一端以及所述原边绕组Np的一端连接，所述电阻R7的另一端与所述原边控制电路I0的HV引脚连接，所述电容C0的另一端接地，所述电容C1的另一端以及所述R0的另一端均与所述二极管D2的一端连接，所述二极管D2的另一端与原边绕组Np的另一端连接；所述电容C5的一端与所述原边控制电路I0的FB引脚连接，所述电容C5的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的一种反激保护电路，其特征在于，所述输入单元包括：电磁干扰滤波器EMI Filter、二极管D0、二极管D1以及由二极管VD1、二极管VD2、二极管VD3和二极管VD4构成的电路桥；

所述电磁干扰滤波器EMI Filter的输入端分别连接点L和点N，所述电磁干扰滤波器EMI Filter与所述二极管D0和所述二极管D1构成的串联结构并联，所述电磁干扰滤波器EMI Filter的输出还与所述电路桥的输入连接，所述电路桥的输出与所述电容C0的一端、所述电容C1的一端、所述R0的一端以及所述原边绕组Np的一端连接；所述二极管D0和所述二极管D1之间的采样点与所述电阻R7连接。

4.根据权利要求1所述的一种反激保护电路，其特征在于，所述副边绕组模块还包括：电阻R1、电容C2以及电容C3；

所述电阻R1的一端与所述输出二极管D3的阴极连接，所述电阻R1的另一端与所述发光二极管I1A连接，所述电容C2的一端与所述输出二极管D3的阴极连接，所述电容C2的另一端接地，所述电容C3的一端与采样电阻R2和采样电阻R3之间的采样点连接，所述电容C3的另一端与所述TL431和所述发光二极管I1A之间的采样点连接。

5.根据权利要求1所述的一种反激保护电路，其特征在于，所述辅助绕组模块还包括：二极管D4以及电容C4；

所述二极管D4的一端与所述辅助绕组Na连接，所述二极管D4的另一端与所述电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端接地。