[发明专利]感光装置在审
申请号: | 202211410949.X | 申请日: | 2022-11-11 |
公开(公告)号: | CN115761823A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 毛宇农;丘兆仟 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G06V40/13 | 分类号: | G06V40/13 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王锐 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 感光 装置 | ||
1.一种感光装置,包括:
基板,具有工作区和该工作区外的参考区;以及
多个感光元件,其中每一感光元件包括读取电路、电连接至该读取电路的第一电极、设置于该第一电极上的感光图案、设置于该感光图案上的第二电极和设置于该第二电极上的第一遮光结构;
该些感光元件包括多个工作感光元件及多个参考感光元件,其中该些工作感光元件设置于该基板的该工作区,且该些参考感光元件设置于该基板的该参考区;
每一工作感光元件的该第一遮光结构具有重叠于该工作感光元件的该感光图案的透光开口;
每一参考感光元件的该第一遮光结构遮蔽该参考感光元件的该感光图案;
每一该参考感光元件还包括第二遮光结构,其中每一该参考感光元件的该第一遮光结构及该第二遮光结构分别设置于该参考感光元件的该感光图案的上下两侧,且该参考感光元件的该感光图案于该基板上的垂直投影落在该参考感光元件的该第二遮光结构于该基板上的垂直投影以内。
2.如权利要求1所述的感光装置,其中该参考感光元件的该第二遮光结构设置于该参考感光元件的半导体图案与该基板之间,且该参考感光元件的该第二遮光结构在垂直于该基板的方向上重叠于该参考感光元件的该半导体图案及该参考感光元件的该感光图案。
3.如权利要求1所述的感光装置,其中每一该参考感光元件的该第二遮光结构包括:
底遮光图案,设置于该基板上;以及
第一导电图案,设置于该底遮光图案的上方,其中该底遮光图案具有开口,且该第一导电图案遮蔽该底遮光图案的该开口。
4.如权利要求3所述的感光装置,其中该第一导电图案的边缘与该底遮光图案的该开口的边缘实质上切齐。
5.如权利要求3所述的感光装置,其中每一该感光元件还包括:
屏蔽层,设置于该感光元件的该第一遮光结构上,其中该第一遮光结构设置于该屏蔽层与该感光图案之间,且该屏蔽层具有重叠于该感光图案的开口;
每一该参考感光元件的该屏蔽层的该开口与该参考感光元件的该第二遮光结构重叠。
6.如权利要求5所述的感光装置,其中每一该参考感光元件的该底遮光图案的该开口与该参考感光元件的该屏蔽层的该开口重叠。
7.如权利要求1所述的感光装置,其中每一该感光元件还包括:
屏蔽层,设置于该感光元件的该第一遮光结构上,其中该第一遮光结构设置于该屏蔽层与该感光元件的该感光图案之间,且该屏蔽层具有重叠于该感光元件的该感光图案的开口;
每一该参考感光元件的该屏蔽层的该开口与该参考感光元件的该第二遮光结构重叠。
8.如权利要求1所述的感光装置,其中每一该感光元件还包括:
钝化层,设置于该感光元件的该感光图案上且具有接触窗,其中每一该感光元件的该第二电极通过该钝化层的该接触窗电连接至该感光图案;
该些参考感光元件的一者的该钝化层还具有沟槽,该沟槽位于该些参考感光元件的该者的该感光图案旁,且该参考感光元件的该者的该第一遮光结构填入该沟槽。
9.如权利要求8所述的感光装置,其中该沟槽围绕该些参考感光元件的该者的该感光图案。
10.如权利要求8所述的感光装置,其中该沟槽设置于该些参考感光元件的该者的该感光图案的单一侧旁。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211410949.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。