[发明专利]显示装置、显示模块及电子设备

说明书

本公开涉及显示装置、显示模块及电子设备。提供一种与扫描线连接的晶体管的栅极电容小的新颖的显示装置。提供一种扫描线的电阻低的新颖的显示装置等。提供一种能够以高清晰度配置像素的新颖的显示装置等。提供一种能够不增加成本地制造的新颖的显示装置等。在包括第一栅电极以及第二栅电极的晶体管中，第一栅电极使用低电阻金属材料构成，第二栅电极使用能够减少氧化物半导体层中的氧缺陷的金属氧化物材料构成。第一栅电极与扫描线连接，第二栅电极与被供应恒定电位的布线连接。

本分案申请是基于申请号为201680076694.4，申请日为2016年12月19日，发明名称为“显示装置、显示模块及电子设备”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的一个方式涉及一种设置有包括氧化物半导体的晶体管的显示装置。

注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本发明涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(composition of matter)。本发明的一个方式尤其涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、其驱动方法或其制造方法。

背景技术

通过利用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体层来构成晶体管(也称为场效应晶体管(FET)或薄膜晶体管(TFT))的技术受到关注。该晶体管被广泛地应用于如集成电路(IC)及图像显示装置(显示装置)等电子器件。作为可以应用于晶体管的半导体层，以硅为代表的半导体材料被周知。另外，作为其他材料，氧化物半导体受到关注。

例如，已公开了形成作为氧化物半导体使用包含In、Zn、Ga、Sn等的非晶氧化物的晶体管的技术(参照专利文献1)。另外，也公开了形成使用氧化物层的自对准的顶栅晶体管的技术(参照专利文献2)。另外，也公开了形成为了提高场效应迁移率由上下的栅电极的电场电性上包围其中形成沟道的氧化物层的晶体管的技术(参照专利文献3)。

此外，已公开了一种电性的可靠性高，例如，阈值电压的漂移小的晶体管的制造技术，其中将通过加热释放氧的绝缘层用作其中形成沟道的氧化物半导体层的基底绝缘层，来降低该氧化物半导体层的氧缺陷(参照专利文献4)。

[参考文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利申请公开第2006-165529号公报

[专利文献2]日本专利申请公开第2009-278115号公报

[专利文献3]日本专利申请公开第2014-241404号公报

[专利文献4]日本专利申请公开第2012-009836号公报

发明内容

包括氧化物层的晶体管被期待应用于显示装置。这种晶体管被要求具有高场效应迁移率及高可靠性。为了实现高场效应迁移率，形成电性上包围其中形成沟道的氧化物层的晶体管是有效的。但是，在利用扫描线的信号驱动具有由栅电极的电场电性上包围其中形成沟道的氧化物层的结构的晶体管的情况下，有该晶体管的栅极电容过大的问题。

为了减小栅极电容，采用单栅结构而不使用由栅电极包围氧化物层的结构是有效的。但是，在为了实现高可靠性采用如氧化物层通过加热释放氧的栅电极作为顶栅极的情况下，有与采用由金属构成的栅电极时相比栅电极的电阻升高，或扫描线的电阻升高的问题。