[发明专利]双平行狭缝波导模斑变换器及其制备方法

权利要求书

1.一种双平行狭缝波导模斑变换器，其特征在于，包括：

衬底，

埋氧层，形成于所述衬底上；

芯片层，形成于所述埋氧层上；

其中，所述芯片层上刻蚀有波导结构，从所述芯片层的一端到另一端，所述波导结构包括依次连接的周期光栅、过渡区和有源调制区，所述有源调制区中形成有双平行狭缝结构；

所述周期光栅用于将光转化为垂直耦合出射，所述过渡区和有源调制区用于将所述波导结构中的光场模式转化为双狭缝波导模式。

2.根据权利要求1所述的双平行狭缝波导模斑变换器，其特征在于，所述过渡区由三个渐变波导组成，三个渐变波导的两端分别连接所述周期光栅和所述有源调制区。

3.根据权利要求2所述的双平行狭缝波导模斑变换器，其特征在于，所述渐变波导的宽度线性变化。

4.根据权利要求1所述的双平行狭缝波导模斑变换器，其特征在于，所述双平行狭缝结构中填充有场效应晶体管结构，所述场效应晶体管结构作为电极，用于施加电压改变载流子的浓度。

5.根据权利要求4所述的双平行狭缝波导模斑变换器，其特征在于，所述场效应晶体管结构由金属氧化物、高调制系数材料和p型掺杂的硅波导构成。

6.根据权利要求4所述的双平行狭缝波导模斑变换器，其特征在于，所述双平行狭缝结构中还形成有载流子积累层。

7.根据权利要求1所述的双平行狭缝波导模斑变换器，其特征在于，所述双平行狭缝波导模斑变换的材料属性包括硅基，氮化硅，铌酸锂，磷化铟，氮化镓。

8.根据权利要求1所述的双平行狭缝波导模斑变换器，其特征在于，所述周期光栅为长周期光栅。

9.根据权利要求1所述的双平行狭缝波导模斑变换器，其特征在于，所述衬底为绝缘体上硅衬底。

10.一种双平行狭缝波导模斑变换器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次制备叠设的埋氧层和芯片层；

对所述芯片层进行刻蚀，形成波导结构，其中，从所述芯片层的一端到另一端，所述波导结构包括依次连接的周期光栅、过渡区和有源调制区，所述有源调制区中形成有双平行狭缝结构；所述周期光栅用于将光转化为垂直耦合出射，所述过渡区和有源调制区用于将所述波导结构中的光场模式转化为双狭缝波导模式。