[发明专利]焖炉料处理方法

说明书

本发明公开了焖炉料处理方法，包括以下步骤：提供浸泡治具，将所述浸泡治具放入水槽内，所述浸泡治具包括治具主体，所述治具主体包括依次连接的第一挡板、第二挡板、第三挡板和第四挡板，所述第一挡板、所述第二挡板、所述第三挡板和所述第四挡板围设成容纳空间；所述治具主体内连接有滤网，所述滤网具有网孔；所述治具主体的底部设置支撑柱；将焖炉料放入所述浸泡治具进行浸泡酸洗，得到分离后的埚邦与原料，其中，所述焖炉料包括坩埚、埚邦和原料；对分离后的埚邦和原料进行冲洗；冲洗结束后将原料进行酸洗处理，埚邦清洗晾干后进行煅烧处理。本发明不但能够降低埚邦的损坏率，还可以减小硅原料的损耗，同时减轻人员的工作强度，提升工作效率。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，更具体地，涉及一种焖炉料处理方法。

背景技术

晶体硅是晶硅太阳能电池的基础原料，晶体硅由高纯度的原生多晶硅通过直拉单晶法和定向凝固多晶硅法得到，当生成晶体硅的过程中发生焖炉时，随着温度下降硅料凝固，凝固的硅料与装载硅料的载体粘附在一起，不易取出。

现有技术中，通过施加外力使凝固的硅料与埚邦机械分离，容易造成埚邦损坏，或者硅料粘接有石英部分比例高，难以进行处理，导致硅料浪费。

因此，亟需提供一种焖炉料处理方法，不但能够降低埚邦的损坏率，还可以减小硅原料的损耗，同时减轻人员的工作强度，提升工作效率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种焖炉料处理方法，包括以下步骤：

提供浸泡治具，将所述浸泡治具放入水槽内，所述浸泡治具包括治具主体，所述治具主体包括依次连接的第一挡板、第二挡板、第三挡板和第四挡板，所述第一挡板和所述第三挡板相对设置，所述第二挡板和所述第四挡板相对设置，所述第一挡板、所述第二挡板、所述第三挡板和所述第四挡板围设成容纳空间；所述治具主体内连接有滤网，所述滤网具有网孔；所述治具主体的底部设置支撑柱；

将焖炉料放入所述浸泡治具进行浸泡酸洗，得到分离后的埚邦与原料，其中，所述焖炉料包括坩埚、埚邦和原料；

对分离后的埚邦和原料进行冲洗；

冲洗结束后将原料进行酸洗处理，埚邦清洗晾干后进行煅烧处理。

可选地，将焖炉料放入浸泡治具内浸泡时间为30-70小时。

可选地，所述将焖炉料放入所述浸泡治具进行浸泡酸洗中酸洗液为氟化氢，其中，所述氟化氢的质量分数为30％-40％。

可选地，所述冲洗结束后将原料进行酸洗处理中酸洗液为氟化氢和硝酸的混合液，其中，所述氟化氢与所述硝酸的体积比为1比20，所述氟化氢的质量分数为30％-40％，所述硝酸的质量分数为45％-69.5％。

可选地，所述埚邦清洗晾干后进行煅烧处理中煅烧时间范围为20-45min，煅烧温度范围为90℃-100℃。

可选地，在得到分离后的埚邦与原料之后还包括：

利用气动隔膜泵对水槽内的酸洗液进行处理。

可选地，所述滤网位于所述治具主体的底部，所述网孔呈矩阵式排列。

可选地，所述支撑柱位于所述治具主体的四角。

可选地，所述治具主体、所述滤网和所述支撑柱的材质均为塑料材质。

可选地，所述治具主体沿第一方向的长度为80-150cm，所述治具主体沿第二方向的长度为80-150cm，所述治具主体沿第三方向的高度为70-90cm，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两相交。

与现有技术相比，本发明提供的焖炉料处理方法，至少实现了如下的有益效果：