[发明专利]一种软错误电路检测系统在审
| 申请号: | 202211291807.6 | 申请日: | 2022-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN115632636A | 公开(公告)日: | 2023-01-20 |
| 发明(设计)人: | 任懿;甘焱林 | 申请(专利权)人: | 深圳摩芯半导体有限公司 |
| 主分类号: | H03K3/037 | 分类号: | H03K3/037;H03K5/125 |
| 代理公司: | 武汉中知诚业专利代理事务所(普通合伙) 42271 | 代理人: | 施志勇 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 错误 电路 检测 系统 | ||
1.一种软错误电路检测系统,其特征在于:主要通过分析D触发器软错误发生的时间与位置,从而在关键路径上检测D触发器是否发生了软错误,在分析D触发器软错误发生的时间与位置时,D触发器的数据从D到Q的锁存过程中,中间经历了2次LATCH锁存。当有高能粒子辐射到D触发器上时,只有打在栅电极的高能粒子能改变pmos/nmos的导通/关闭状态,从而改变电容上存储电荷,以至于改变D触发器存储的0/1数值,在CK=1时,LATCH0中的RS触发器应处于保持状态,如果这时有高能粒子改变LATCH0的栅电容时,就会有瞬态电流经过电源和地线,对Dn端电容进行充放电,这时LATCH1正处于数据锁存状态,将Dn的值复制到Q端,如果Dn的值异常改变,LATCH1就会锁存到错误数据,从而导致D触发器的重要信息出现错误。
2.根据权利要求1所述的一种软错误电路检测系统,其特征在于:所述LATCH锁存存在两次。第一次锁存发生在ck为低电平期间,数据由D端锁存到Dn端。Dn端如果数据发生改变,则电容会发生充电或放电,充电时,有瞬态电流从L0的电源到Dn端;放电时,有瞬态电流从Dn端到L0的地端。
3.根据权利要求2所述的一种软错误电路检测系统,其特征在于:第二次锁存,发生在ck为高电平期间,数据由Dn端锁存到Q端。Q端如果数据发生改变,则电容会发生充电或放电,充电时,有瞬态电流从LATCH1的电源到Q端;放电时,有瞬态电流从Q端到LATCH1的地端。
4.根据权利要求2所述的一种软错误电路检测系统,其特征在于:CK=1时,Dn电容上的数值异常改变为软错误发生状态。
5.根据权利要求4所述的一种软错误电路检测系统,其特征在于:所述Dn电容上的数值处于软错误发生状态下,会有电流从LATCH0的电源或地对Dn电容进行充放电。
6.根据权利要求4所述的一种软错误电路检测系统,其特征在于:在CK=1时,LATCH0应处于数据保持状态,这时检测LATCH0的电源或地的异常充放电电流,可探测Dn端是否发生软错误翻转。同理,CK=1时,Q电容上的数值异常改变为软错误发生状态。
7.根据权利要求6所述的一种软错误电路检测系统,其特征在于:所述Q电容上的数值处于软错误发生状态,该状态下会有电流从LATHC1的电源或地对Q电容进行充放电。因此在CK=0时,检测LATCH1的电源或地的充放电电流,可探测Q端是否发生软错误翻转。
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