[发明专利]中子屏蔽添加剂、中子辐射防护材料及其制备方法

权利要求书

1.一种中子屏蔽添加剂，其特征在于，所述中子屏蔽添加剂的分子结构通式如下所示：

其中，n为1或2，R选自如下基团：

其中，*代表结合位点。

2.如权利要求1所述的中子屏蔽添加剂，其特征在于，所述中子屏蔽添加剂选自以下化合物中的至少一种：

3.一种权利要求1或2所述的中子屏蔽添加剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

取丙炔醇、催化剂加入有机溶剂中，在0℃-20℃下搅拌溶解，加入溶解有R-(X)_m的有机溶剂，加入完毕后在室温下反应2.5h～3.5h，过滤反应液得到滤液，对滤液依次进行洗涤和减压蒸馏，得到中间产物；

将所述中间产物和N,N-二甲基苯胺十硼烷络合物混合，100～110℃下回流反应9h～12h；

其中，X选自：F、Cl、Br、I，m为1或2。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂为4-二甲氨基吡啶和三乙胺的混合物，R-(X)_m、丙炔醇、4-二甲氨基吡啶和三乙胺的摩尔比为1∶(2～3)1∶(2～3)∶(0.1～0.2)∶(3～5)。

5.如权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述中间产物与N,N-二甲基苯胺十硼烷络合物的摩尔比为1∶(2～3)。

6.一种中子辐射防护材料，其特征在于，包括高分子聚合物基体以及权利要求1～3中任一项所述的中子屏蔽添加剂，所述中子屏蔽添加剂分散在所述高分子聚合物基体中。

7.如权利要求6所述的中子辐射防护材料，其特征在于，所述中子屏蔽添加剂在所述中子辐射防护材料中的质量分数为15％～60％。

8.如权利要求6或7所述的中子辐射防护材料，其特征在于，所述高分子聚合物基体为聚丙烯，聚乙烯，聚酯，聚氨酯，聚酰胺中的至少一种。

9.一种中子辐射防护材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将权利要求1～3中任一项所述的中子屏蔽添加剂与熔融的高分子聚合物进行混合，得到复合材料。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

将所述复合材料进行纺丝。